[发明专利]一种高速数据处理SSD在审
申请号: | 201711407780.1 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108008919A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 焦龙涛;常迎辉;杨松芳;曾明 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F13/16;G06F13/20 |
代理公司: | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人: | 王文庆 |
地址: | 050081 河北省石家庄*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高速 数据处理 ssd | ||
1.一种高速数据处理SSD,包括SSD控制器和多个flash芯片,其特征在于,每个flash芯片的编程时间与加载时间之比均为N,所述多个flash芯片组织成M×N阵列形式,所述SSD控制器分别与阵列中的每行flash芯片连接有一条数据总线、一条控制总线以及一条片选总线。
2.根据权利要求1所述的高速数据处理SSD,其特征在于,所述SSD控制器包括可编程数字电路,所述SSD控制器通过内置程序按照如下步骤存储数据:
(1)依据flash芯片的页大小将待存储数据分割为数据单元,每个数据单元对应于一个flash芯片的一个页单元;
(2)将所有数据单元分为m组,除最后一组的数据单元个数≤N外,其余每组的数据单元个数均为N个;相应地,从flash阵列中选取m×N个flash芯片的地址组成m行N列地址矩阵,其中,不同行的地址所对应的flash芯片在flash阵列中也位于不同行中,同一列的地址所对应的flash芯片在flash阵列中也位于同一列中;
(3)依据flash芯片的地址,通过片选信号选择相应的flash芯片,将每个数据单元分别存储在不同的flash芯片中;存储时,地址矩阵中同一列的地址所对应的flash芯片同步地进行数据存储,同一行的地址所对应的flash芯片通过片选信号依次进行数据存储,且当前一flash芯片完成加载操作后,片选信号立即切换到下一flash芯片。
3.根据权利要求2所述的高速数据处理SSD,其特征在于,所述步骤(3)后还包括如下步骤:
(4)检测数据单元是否存储成功,对于未存储成功的数据单元,通过地址分配新的flash芯片进行重新存储,同时标记未能成功存储数据单元的flash芯片地址,下次存储数据时跳过该地址,并从flash阵列中同一列的不同行中选取一个新的flash芯片的地址替换该地址。
4.根据权利要求2所述的高速数据处理SSD,其特征在于,所述步骤(1)之前还包括如下步骤:
(0)检查待存储数据的大小,若数据大小小于N个页的存储长度,则将所有数据存入一个flash芯片中。
5.根据权利要求1所述的高速数据处理SSD,其特征在于,所述SSD控制器包括如下电路单元:
分割单元,用于将待存储数据依据flash芯片的页大小分割为数据单元,每个数据单元对应于一个flash芯片的一个页单元;
控制单元,用于通过片选信号依次从flash阵列中选取相应的芯片地址,并将每一个数据单元发送给一个不同的flash芯片;所述芯片地址组成一m行N列的地址矩阵,其中,不同行的地址所对应的flash芯片在flash阵列中也位于不同行中,同一列的地址所对应的flash芯片在flash阵列中也位于同一列中;存储时,地址矩阵中同一列的地址所对应的flash芯片同步地进行数据存储,同一行的地址所对应的flash芯片通过片选信号依次进行数据存储,且当前一flash芯片完成加载操作后,片选信号立即切换到下一flash芯片;
存储单元,用于对flash芯片进行数据存储;
检查单元,用于检查数据是否成功存储,并对未成功存储的数据单元进行重新存储;
标记单元,用于标记故障flash芯片。
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