[发明专利]一种沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体及其制备方法有效
| 申请号： | 201711408854.3 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108231322B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 宋振纶;丁雪峰;胡方勤;杨丽景;姜建军;郑必长;武秉晖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所;包头希迪瑞科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;H01F41/02;C23C14/35;C23C14/16 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 刘诚午 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沉积 复合 薄膜 烧结 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
1.一种沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括：
1)将烧结钕铁硼磁体样品进行预处理；
2)将预处理后的烧结钕铁硼磁体样品进行离子活化处理；
3)经磁控溅射法，在所述离子活化处理后的烧结钕铁硼磁体样品外表面沉积复合薄膜；
4)将步骤3)处理后的烧结钕铁硼磁体样品进行热扩散及回火处理；
所述沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体包括烧结钕铁硼磁体和经磁控溅射法沉积在所述烧结钕铁硼磁体外表面的复合薄膜；
所述复合薄膜的元素组成包括必要元素Tb和/或Dy，与可选元素Cu，所述复合薄膜为交替混合薄膜；所述交替混合薄膜由必要元素与可选元素经交替溅射后沉积得到；
所述交替混合薄膜，将溅射一次必要元素薄膜与一次可选元素薄膜记为一个交替周期，所述交替周期至少为4个。
2.根据权利要求1所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述交替混合薄膜元素组成包括Tbx5Cu1-x5、Dyx6Cu1-x6或Tbx7Dyy2Cu1-(x7+y2)；
所述x5～x7、y2代表原子的百分含量，x5～x7均独立地选自0～1。
3.根据权利要求1所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述交替混合薄膜，先溅射必要元素薄膜，再溅射可选元素薄膜。
4.根据权利要求1所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述复合薄膜的厚度为1～12μm。
5.根据权利要求1所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述预处理包括除油、酸洗、酒精超声和吹干。
6.根据权利要求1所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤2)中，将预处理后的烧结钕铁硼磁体样品放入磁控溅射真空室内，抽真空至5×10-3～5×10-4Pa，再充入高纯氩气，进行离子活化处理。
7.根据权利要求1所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述磁控溅射的靶材包括Dy靶材、Tb靶材、Cu靶材；
工作气压为0.1～3Pa，靶材功率密度为1～7W/cm2。
8.根据权利要求1所述的沉积有复合薄膜的烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤4)中，所述热扩散的温度为800～1000℃，回火处理的温度为400～600℃。
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