[发明专利]用于紫外光发射装置的封装和封装紫外光发射装置的方法

说明书

本发明涉及用于紫外光发射装置的封装和封装所述紫外光发射装置的方法。本发明的实施例包括发光二极管UVLED，所述UVLED包括具有设置在n型区与p型区之间的活性层的半导体结构。所述活性层发射UV辐射。所述UVLED附接到底座。透镜设置于所述UVLED的上方。最接近所述UVLED的所述透镜的表面的宽度与所述底座相同。

技术领域

本发明涉及用于紫外光发射装置的封装和封装所述紫外光发射装置的方法。

背景技术

III-氮化物材料(包括(Al,Ga,In)-N和其合金)的带隙从InN的极窄带隙(0.7eV)延伸到AlN的极宽带隙(6.2eV)，此使得III-氮化物材料在从近红外延伸到深紫外的宽光谱范围内高度适用于光电子应用，例如发光二极管(LED)、激光二极管、光调制器和检测器。可见光LED和激光可在活性层中使用InGaN获得，而紫外光LED(UVLED)和激光需要更大带隙的AlGaN。

预计发射波长在230-350nm范围内的UVLED将存在宽范围的应用，这些应用的大多数是基于UV辐射与生物材料之间的相互作用。典型应用包括表面杀菌、空气消毒、水消毒、医疗装置和生物化学、用于超高密度光记录的光源、白光照明、荧光分析、感测和零排放汽车。

发明内容

本发明涉及一种装置，其包含：

发光二极管(UVLED)，其包含包括设置于n型区与p型区之间的活性层的半导体结构，其中所述活性层发射UV辐射；

陶瓷底座，其中所述UVLED附接到所述底座；

设置于所述UVLED上方的透镜，其中所述透镜是石英、蓝宝石和玻璃中的一个；其中最接近所述UVLED的透镜的表面的宽度与所述陶瓷底座相同。

本发明涉及一种方法，其包含：

将多个发光二极管(UVLED)附接到底座面板，每一UVLED包含包括设置于n型区与p型区之间的活性层的半导体结构，其中所述活性层发射UV辐射；

将透镜的面板附接到所述多个UVLED；和

在所述附接透镜面板之后，切割所述底座面板和所述透镜面板。

附图说明

图1图解说明经封装UVLED。

图2是倒装芯片UVLED中多个像素的平面图。

图3是UVLED中一个像素的剖面图。

图4图解说明单独从一组UVLED形成的透镜面板。

图5图解说明附接到底座面板的一组UVLED。

图6图解说明与底座面板对齐且设置于真空室中的透镜面板。

图7图解说明切割接合到设置于底座面板上的UVLED的透镜面板。

具体实施方式

本发明的实施例涉及UVLED的封装和封装UVLED的方法。

尽管本文所述的装置是III-氮化物装置，但从其它材料(例如其它III-V材料、II-VI材料、Si)形成的装置在本发明实施例的范围内。本文所述的装置可经配置以发射可见、UV A(峰值波长介于340nm与400nm之间)、UV B(峰值波长介于290nm与340nm之间)或UV C(峰值波长介于210nm与290nm之间)辐射。由本文所述的UVLED发射的辐射功率出于语言的简洁可阐述为“光”。

图1图解说明根据本发明的实施例的经封装LED。UVLED 1(在以下随附图2和3的文本中阐述的一个实例)附接到底座。透镜14设置于UVLED 1上方。透明材料层12可设置于透镜14与UVLED 1和底座10之间。