[发明专利]一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法

说明书

本发明提供了一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法，属于影像传感器技术领域。本发明的CMOS影像传感封装结构的制作方法的步骤中，先将透明基材固定于第一绝缘层具有微凸镜的表面，将挡片晶片固定于透明基材的表面，然后对晶圆进行磨薄，这个过程中，透明基材对晶圆起到更多的机械支撑力，因而能够将晶圆磨得更薄，CMOS影像传感封装结构具有薄型化的特点。另外，第二安装区具有保护胶层，保护胶层可以阻止氧气水汽进入内元件、吸收散漫光线，整个CMOS影像传感封装结构寿命更长，使用效果更好。并且，制作过程中透明基材是在半导体厂进行的，洁净度更高，可以避免对CMOS影像传感封装结构的污染。

技术领域

本发明涉及影像传感器技术领域，具体而言，涉及一种CMOS影像传感封装结构及其制作方法。

背景技术

CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor的缩写，中文意思为互补性氧化金属半导体)传感器，属于影像传感器中的一种，一般为数码相机中的核心部件。

目前，传统的CMOS传感器存在的问题是：封装结构的厚度较厚。

发明内容

本发明的目的在于提供一种CMOS影像传感封装结构的制作方法，其能制作出厚度较薄的CMOS影像传感封装结构，且具有寿命较长的特点。

本发明的另一目的在于提供一种CMOS影像传感封装结构，其具有薄形化的特点。

本发明是这样实现的：

一种CMOS影像传感封装结构的制作方法，包括：

在第一绝缘层、晶圆形成的结合层形成盲孔，盲孔穿过第一绝缘层且孔底位于晶圆，第一绝缘层背离晶圆的表面具有微凸镜；微凸镜与盲孔所在的区域分别为第一安装区和第二安装区，第一安装区与第二安装区互不重叠；

将第二绝缘层形成于盲孔的孔壁，然后在具有第二绝缘层的盲孔内填充导电材料，将结合层内与微凸镜和IC信号连接的导线引至第一绝缘层的表面并与导电材料电性连接；

将透明基材固定于第一绝缘层具有微凸镜的表面，且透明基材设置在第一安装区；将挡片晶片固定于透明基材的表面，然后对晶圆进行磨薄以使得盲孔内的导电材料露出；

将第三绝缘层形成于磨薄后的晶圆表面并使得导电材料露出，然后将金属凸块形成于第三绝缘层并与导电材料电连接，将锡球固定于金属凸块，将挡片晶片去除后，将保护胶层形成于第一绝缘层上，且保护胶层位于第二安装区。

进一步地，在本发明的一种实施例中：

磨薄前的晶圆厚度为700～1000μm，磨薄后的晶圆厚度为20～100μm。

进一步地，在本发明的一种实施例中：

磨薄后的晶圆厚度为40～70μm。

进一步地，在本发明的一种实施例中：

保护胶层与透明基材的表面基本齐平。

进一步地，在本发明的一种实施例中：

导电材料包括铜。

进一步地，在本发明的一种实施例中：

透明基材利用透光粘合胶固定于第一绝缘层的表面。

进一步地，在本发明的一种实施例中：

透光粘合胶与透明基材的整个平面接触。

进一步地，在本发明的一种实施例中：

透明基材的材质包括蓝宝石、石英玻璃或氧化镁。

进一步地，在本发明的一种实施例中：