[发明专利]一种基于弧形电极结构的PECVD镀膜设备在审
| 申请号： | 201711415740.1 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108559974A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 赵琳;周晖;何延春;王艺;赵栋才;蒋钊 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 刘芳;仇蕾安 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 负电极 正电极 布气系统 供气装置 三段 弧形电极结构 放电 镀膜 卷绕 负电 实心圆柱体 圆柱形薄片 不均匀度 工作气体 弧形结构 基底材料 正负电极 布气孔 共轴线 进气孔 划伤 基底 紧贴 送入 室内 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于弧形电极结构的PECVD镀膜设备，包括放电负电极、正电极以及供气装置，其特征在于，所述放电负电极为1/4圆柱形薄片的弧形结构，且表面设有多个布气孔；所述正电极采用实心圆柱体结构，正、负电极采用共轴线放置，且负电极位于正电极外；所述负电极连接供气装置，卷绕基底材料处于正负电极中间，紧贴正电极，并跟随正电极以相同线速度卷绕；所述供气装置为三段独立布气系统，工作气体在三段独立布气系统处混合均匀后再通过弧形负电极上的布气孔送入由正、负电极之间的空间构成的PECVD镀膜室内。
2.根据权利1所述的一种基于弧形电极结构的PECVD镀膜设备，其特征在于，所述弧形负电极的1/4圆柱的直径位于40cm～90cm范围内，正负电极之间距离位于25mm～35mm范围内。
3.根据权利1所述的一种基于弧形电极结构的PECVD镀膜设备，其特征在于，所述三段独立布气系统配置有3个混气室，每个混气室连接2～4个气源。
4.根据权利1所述的一种基于弧形电极结构的PECVD镀膜设备，其特征在于，所述弧形负电极上设有7列布气孔，中间3列布气孔直径为0.6～0.8mm，左边2列和右边2列布气孔直径为0.9～1.1mm。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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