[发明专利]一种高抗热震性匣钵及其制备方法在审
申请号: | 201711416033.4 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN108046816A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 王立平;王理达 | 申请(专利权)人: | 江苏三恒高技术窑具有限公司 |
主分类号: | C04B35/66 | 分类号: | C04B35/66;C04B35/567;C04B35/185;C04B35/622;F27D5/00 |
代理公司: | 宜兴市天宇知识产权事务所(普通合伙) 32208 | 代理人: | 蒋何栋 |
地址: | 214221 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抗热 匣钵 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种高抗热震性匣钵,包括钵体,钵体由钵底与钵侧连成一体,钵底呈夹心结构,钵底内层为碳化硅、高岭土混合层,包覆钵底内层的钵底外层与钵侧为连体结构,钵底外层和钵侧是电熔莫来石、电熔刚玉、α‑氧化铝、高岭土混合层。同时,本发明还公开了上述匣钵的制备方法。本发明与传统技术相比,在充分掌握匣钵使用环境要求及产生损坏的主要原因基础上,通过对两种不同材质线膨胀系数之间的匹配问题进行研究,改进优化配方及制造工艺,提高了匣钵的抗热震性能。
技术领域
本发明属于耐火窑具制备领域,具体涉及一种高抗热震性匣钵及其制备方法。
背景技术
电子元件及材料是电子信息工业的基础之一,电子材料制程需经过高温烧制,匣钵是高温过程承载产品的主要窑具,烧成对窑具的抗热震性技术要求很高,并且窑具材质在高温下不能对电子元件及材料性能产生影响。
目前生产上有类似的匣钵,匣底有基层碳化硅,碳化硅基层上有隔离层氧化铝,同时匣墙也是由氧化铝组成。由于未解决好氧化铝与碳化硅的线膨胀系数的匹配,容易使匣钵在使用过程中出现匣墙剥落和开裂现象,造成匣钵报废。
另中国专利CN200820208004.9公开的一种一体式复合层匣钵实用新型专利,目的是解决匣钵在使用过程中发生的匣墙“崩角”和破断问题。它所述匣底的基层与所述匣墙的基层连为一体,匣底的内隔离层与所述匣墙的内隔离层连为一体,所述基层采用碳化硅(SiC)材料,外隔离层采用含铝量为78~99%的材料。该结构中,碳化硅未实现全隔离,使用时碳化硅极易氧化,可能对电子元件及材料性能产生不良影响;另匣钵在制备过程中,匣钵的成型受到原料特性制约,实现该结构的制造工艺,困难重重,不具备经济价值。
发明内容
发明目的:本发明的目的在于针对现有技术的不足,提供一种高抗热震性匣钵。
本发明的另一目的在于提供上述匣钵的制备方法。
技术方案:为了达到上述发明目的,本发明具体是这样来实现的:一种高抗热震性匣钵,包括钵体,钵体由钵底与钵侧连成一体,其特征在于,钵底呈夹心结构,钵底内层为碳化硅、高岭土混合层,包覆钵底内层的钵底外层与钵侧为连体结构,钵底外层和钵侧是电熔莫来石、电熔刚玉、α-氧化铝、高岭土混合层。
一种优选的方案,钵底内层各组份的质量百分比为:碳化硅16~36目 25~50%、碳化硅60~100目 10~40%、碳化硅325目 10~30%,高岭土≤200目5~10%;钵底外层和钵侧各组份的质量百分比为:电熔莫来石16~36目 30~50%、电熔刚玉100~200目 10~30%、α-氧化铝≤325目 5~20%、高岭土≤200目5~20%。
制备上述高抗热震性匣钵的方法,先将钵底内层的各组份按配比要求进行均质混料,困料备用;另将钵底外层和钵侧的各组份按配比要求进行均质混料,困料备用;在备好的模具内进行均质布料,在大吨位压机上加压成型,干燥后再经高温烧成制得。。
本发明关键在于解决两种不同材质线膨胀系数之间的匹配问题,并对匣钵内部结构进一步细化改进,解决现有技术中的匣钵在使用过程中发生的匣墙剥落和开裂现象,而造成匣钵剥落和开裂现象的主要原因是匣钵经不起冷热急变的冷热循环冲击而造成损坏,说明的匣钵抗热震性能不好。
有益效果:本发明与传统技术相比,在充分掌握匣钵使用环境要求及产生损坏的主要原因基础上,通过对两种不同材质线膨胀系数之间的匹配问题进行研究,改进优化配方及制造工艺,提高了匣钵的抗热震性能。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
实施例1:
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