[发明专利]一种适用于无线充电的移相全桥软开关逆变电路在审
| 申请号： | 201711416683.9 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108054947A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 高大威;朱国栋 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张建纲 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 无线 充电 移相全桥软 开关 电路 | ||
1.一种适用于无线充电的移相全桥软开关逆变电路，所述逆变电路包括第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)、第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)、第三金属氧化物半导体场效应晶体管(Q3)、第四金属氧化物半导体场效应晶体管(Q4)、第一电感(L1)、第二电感(L2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)；第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)在一条桥臂上，第三金属氧化物半导体场效应晶体管(Q3)和第四金属氧化物半导体场效应晶体管(Q4)在另一条桥臂上，两条桥臂构成全桥逆变电路的主体，第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)和第三金属氧化物半导体场效应晶体管(Q3)的漏极连接到直流母线正电压端，第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)和第四金属氧化物半导体场效应晶体管(Q4)的源极连接到直流母线负电压端；其特征在于，第一电感(L1)和第二电感(L2)串联后插入第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)之间，这两个电感的公共点为逆变电路输出点之一；第一电感(L1)的另一端和第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)的源极连接，第二电感(L2)的另一端和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)的漏极连接；第一二极管(D1)的阴极和第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)的源极连接，第一电容(C1)两端分别和第一二极管(D1)的阳极和第一金属氧化物半导体场效应晶体管(Q1)的漏极连接；第二二极管(D2)的阳极和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)的漏极连接，阴极和第一二极管(D1)的阳极连接；第二电容(C2)两端分别和第二二极管(D2)的阴极和第二金属氧化物半导体场效应晶体管(Q2)的源极连接；第三金属氧化物半导体场效应晶体管(Q3)的源极和第四金属氧化物半导体场效应晶体管(Q4)的漏极连接；第三电容(C3)的两端和第三金属氧化物半导体场效应晶体管(Q3)的漏极和源极连接；第四电容(C4)的两端和第四金属氧化物半导体场效应晶体管(Q4)的漏极和源极连接；第三电容(C3)和第四电容(C4)的公共点为逆变电路的另一输出点。
2.根据权利要求书1所述一种适用于无线充电的移相全桥软开关逆变电路，其特征在于，第一电容(C1)和第二电容(C2)的电容值相等。
3.根据权利要求书1所述一种适用于无线充电的移相全桥软开关逆变电路，其特征在于，第一电感(L1)和第二电感(L2)的电感值相等。
4.根据权利要求书1所述一种适用于无线充电的移相全桥软开关逆变电路，其特征在于，第三电容(C3)和第四电容(C4)的电容值相等。
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