[发明专利]基于氧化石墨烯/聚苯胺/金纳米粒子复合材料的存储器件及其制备方法有效
申请号: | 201711417363.5 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN108155289B | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 李亮;朱壹;刘玉兰;喻湘华 | 申请(专利权)人: | 武汉工程大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明;闭钊 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 氧化 石墨 苯胺 纳米 粒子 复合材料 存储 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于氧化石墨烯/聚苯胺/金纳米粒子复合材料的存储器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(a)将下电极表面处理干净备用;
(b)将氧化石墨烯、对苯二胺分散在N,N-二甲基甲酰胺溶剂中,100-110℃反应12-36h,分离得到含苯胺基的氧化石墨烯,其中氧化石墨烯与对苯二胺的质量比为1:0.2-5,混合溶液中对苯二胺的浓度为0.2-5g/L;将含苯胺基的氧化石墨烯分散在稀盐酸中,加入苯胺、氧化剂于0-4℃下反应18-36h,分离得到表面接枝聚苯胺的氧化石墨烯,其中含苯胺基的氧化石墨烯与苯胺、氧化剂的质量比为1:0.5-5:1-20;
(c)将金纳米粒子、表面接枝聚苯胺的氧化石墨烯分散在甲苯类溶剂中得到混合溶液,将混合溶液旋涂在下电极上,干燥后得到中间电活性存储层;
(d)在中间电活性存储层上蒸镀一层铝,得到存储器件。
2.根据权利要求1所述的基于氧化石墨烯/聚苯胺/金纳米粒子复合材料的存储器件的制备方法,其特征在于:步骤(a)所述下电极为ITO导电玻璃或单晶硅或表面蒸镀有氧化铟掺锡的柔性PET聚酯薄膜。
3.根据权利要求1所述的基于氧化石墨烯/聚苯胺/金纳米粒子复合材料的存储器件的制备方法,其特征在于:所使用的稀盐酸pH为1,所使用的氧化剂为氯化铁、硝酸铁、硫酸铁或过硫酸铵。
4.根据权利要求1所述的基于氧化石墨烯/聚苯胺/金纳米粒子复合材料的存储器件的制备方法,其特征在于:步骤(c)中金纳米粒子与表面接枝聚苯胺的氧化石墨烯的质量比为x:(1-x),x的取值为0.25%-0.45%,旋涂速度为3000-5000转/分钟,旋涂时间为30-60秒,旋涂完成后在室温下干燥10-20min。
5.根据权利要求1所述的基于氧化石墨烯/聚苯胺/金纳米粒子复合材料的存储器件的制备方法,其特征在于:旋涂形成的中间电活性存储层的厚度控制在100-200nm,上电极的厚度控制在100-300nm。
6.一种基于氧化石墨烯/聚苯胺/金纳米粒子复合材料的存储器件,其特征在于:所述存储器件按照权利要求1中的方法制备得到;该存储器件由下电极、中间电活性存储层和上电极组成,所述下电极选自ITO导电玻璃、单晶硅、表面蒸镀有氧化铟掺锡的柔性PET聚酯薄膜中的一种,中间电活性存储层为氧化石墨烯/聚苯胺/金纳米粒子复合材料,上电极为金属铝。
7.根据权利要求6所述的一种基于氧化石墨烯/聚苯胺/金纳米粒子复合材料的存储器件,其特征在于:所述中间电活性存储层厚度为100-200nm,所述上电极厚度为100-300nm。
8.根据权利要求6所述的一种基于氧化石墨烯/聚苯胺/金纳米粒子复合材料的存储器件,其特征在于:所述氧化石墨烯/聚苯胺/金纳米粒子复合材料中金纳米粒子的质量分数为0.25%-0.45%。
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