[发明专利]一种高线性度的射频功率放大器及射频通信终端在审
申请号: | 201711417673.7 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN107911086A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 牛旭 | 申请(专利权)人: | 牛旭 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/24 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人: | 张帆 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 线性 射频 功率放大器 通信 终端 | ||
技术领域
本发明涉及移动通信领域,具体涉及一种高线性度的射频功率放大器及射频通信终端。
背景技术
在以智能手机为代表的移动通信领域中,射频及微波功率放大器(power amplifier module,简称PA Module,或者PAM,以下简称射频功率放大器、功率放大器或功放)是通信终端中非常重要的元件,它的线性度直接影响了移动通信的质量,如数据传输速率。
功率放大器包括线性功放和饱和功放两大类,线性度指标是衡量线性功放的首要指标。随着输入功率的增加,输出信号的失真会呈现逐渐加强的趋势,典型线性度指标包括ACPR(临近信道功率比)和EVM(误差矢量幅度)。引起线性度失真的两个主要因素是AM-AM失真(幅度失真)和AM-PM失真(相位失真),随着输出功率的增加,AM-AM失真和AM-PM失真会呈现逐渐加强的趋势。随着输入功率的增加,如果能持续的改善这两个指标,抑制这两个指标的恶化,将使功率放大器能够输出更高的线性功率,或者说,在相同的输出功率水平,能得到更好的线性度。射频芯片工程师的主要任务就是持续的提高功率放大器的线性度和功率附加效率。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种高线性度的射频功率放大器及射频通信终端,可以提高射频功率放大器及射频通信终端的线性度。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种高线性度的射频功率放大器,包括匹配网络、偏置电路、功率放大模块和线性度改善网络,所述匹配网络和所述偏置电路均分别连接在所述功率放大模块的输入端口上,所述匹配网络和所述偏置电路之间连接有所述线性度改善网络。
本发明的有益效果是:本发明一种高线性度的射频功率放大器针对3G/4G/5G线性功率放大器的AM-AM失真情况,引入线性度改善网络,可以提高功率放大器的线性度。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,所述功率放大模块包括至少一级功率放大管,每一级所述功率放大管的输入端口上均分别连接有一个所述偏置电路;所述匹配网络包括输入匹配网络,还可以包括级间匹配网络,所述输入匹配网络连接在第一级所述功率放大管的输入端口上,每相邻两级所述功率放大管之间均分别连接有一个所述级间匹配网络;与第一级所述功率放大管的输入端口相连的所述输入匹配网络和偏置电路之间连接有一个或多个所述线性度改善网络,和/或与中间级所述功率放大管的输入端口相连的所述级间匹配网络和偏置电路之间连接有一个或多个所述线性度改善网络,和/或与末级所述功率放大管的输入端口相连的所述级间匹配网络和偏置电路之间连接有一个或多个所述线性度改善网络。
进一步,所述输入匹配网络或级间匹配网络通过隔直流/匹配电容C2连接在所述功率放大管的输入端口上,所述偏置电路通过压舱电阻R2连接在所述功率放大管的输入端口上;所述偏置电路包括电阻R1、二极管D1和D2、偏置晶体管S1和bypass电容C1,所述电阻R1的一端连接Vreg,另一端连接所述二极管D1的P极,所述二极管D1的N极连接所述二极管D2的P极,所述二极管D2的N极接地,所述偏置晶体管S1的基极/栅极连接在所述二极管D1的P极上,所述偏置晶体管S1的发射极/源极通过压舱电阻R2连接在所述功率放大管的输入端口上,所述偏置晶体管S1的集电极/漏极连接Vbat。
进一步,所述线性度改善网络的一端连接在所述输入匹配网络或级间匹配网络的输出端口上,所述线性度改善网络的另一端连接在对应的所述偏置电路的所述偏置晶体管S1的基极/栅极或者发射极/源极上。
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