[发明专利]一种具有反射镜的LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种具有反射镜的LED芯片的制作方法，通过在衬底的背面依次形成金属反射层和DBR反射层，有效地将芯片从背面发射出来的光反射回芯片的正面发射，从而提高芯片的出光效率。此外，本申请通过在衬底背面和DBR发射层之间设置一层金属反射层，从而避免DBR反射层侧向反射效果差的问题，大大提升反射亮度，并且通DBR反射层的介质膜有效地将金属反射层进行保护，避免金属反射层中的反射层老化。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种具有反射镜的LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

现有的正装LED芯片的光线主要从芯片的正面和背面进行发射，而从芯片背面发射的光线经过芯片的吸收和折射，最终难以从芯片的正面发射出来。因此，技术人员通过在芯片的背面设置具有高反射率的支架来解决上述问题。但是，现有的支架反射率低，且容易老化，严重影响芯片的出光效率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种具有反射镜的LED芯片及其制作方法，通过在衬底的背面形成金属反射层和DBR反射层，将芯片从背面发射出来的光反射回芯片的正面发射，从而提高芯片的出光效率。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种具有反射镜的LED芯片的制作方法，包括：

提供发光结构，所述发光结构包括衬底、外延层、电流阻挡层和透明导电层，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述电流阻挡层设于所述第二半导体层上，所述透明导电层设于所述电流阻挡层上；

对所述发光结构进行刻蚀，形成刻蚀至第一半导体层的裸露区域；

在所述裸露区域的第一半导体层上形成第一电极，在所述透明导电层上形成第二电极；

在所述衬底的背面依次形成金属反射层和DBR反射层，形成LED晶圆，所述金属反射层包括第一粘附层、反射层和第二粘附层。

作为上述方案的改进，所述第一粘附层由Ni、Ti、Cr、Pt、Al中的一种或几种金属制成，所述第二粘附层由Ni、Ti、Cr、Pt、Al中的一种或几种金属制成。

作为上述方案的改进，所述第一粘附层和第二粘附层的总厚度小于等于50埃。

作为上述方案的改进，所述反射层由Ag制成。

作为上述方案的改进，采用电子束蒸镀、热蒸镀或磁控溅射工艺在所述衬底背面依次沉积第一粘附层、反射层和第二粘附层，以形成金属反射层。

作为上述方案的改进，所述DBR反射层由SiO₂、Si₃N₄、TiO₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、ZnSe、ZnS、ZrO₂、Al₂O₃中的两种或两种以上材料制成。

作为上述方案的改进，采用离子源辅助蒸镀工艺在所述金属反射层表面形成所述DBR反射层。

作为上述方案的改进，采用金属蒸镀工艺在所述裸露区域的第一半导体层上沉积一层金属层，在所述透明导电层上沉积一层金属层，并采用剥离去胶工艺去除多余的金属，以在第一半导体层上形成第一电极，在透明导电层上形成第二电极。

作为上述方案的改进，在形成所述DBR反射层之后，还包括以下步骤：

采用紫外激光对所述LED晶圆进行划片；