[发明专利]高纯硒化镉的制备方法

说明书

本申请提供一种高纯硒化镉的制备方法，其包括步骤：S1，将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后置于高温高压炉中，升温至800℃～1200℃同时升压至10个标准大气压及以上，保温保压进行反应直至反应结束，降温降压后出炉，得到硒化镉初料；S2，将得到的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中，升温至700℃～900℃并通入氢气进行氢化除杂，降温出炉后得到高纯硒化镉。本申请以镉粒和硒粒为原料，高温高压反应后经氢化除杂，可得到高纯硒化镉，所述制备方法工艺流程短，产品收率高，部分不合规格的产品可作为原料重复利用，适合批量生产。

技术领域

本申请涉及半导体材料领域，尤其涉及一种高纯硒化镉的制备方法。

背景技术

硒化镉(CdSe)是一种化合物N型半导体材料，其能隙值为1.74eV左右，处于理想的太阳能电池能隙范围内，有很好的光电转换效率。随着薄膜产业的飞速发展，薄膜科学技术与薄膜材料在材料学领域已成为研究的热点。硒化镉作为一种N型薄膜太阳能材料，可与碲化镉结成P-N结。研究其合成方法有利于薄膜太阳能材料的发展。同时硒化镉化合物也可用于制作红外调制器，红外探测等。

目前国内外关于硒化镉合成的方法，鲜有报道。鉴于此，特提出本申请。

发明内容

鉴于背景技术中存在的问题，本申请的目的在于提供一种高纯硒化镉的制备方法，所述制备方法工艺流程短，产品收率高，部分不合规格的产品可作为原料重复利用，适合批量生产，同时所述方法得到的硒化镉具有较高的纯度。

为了达到上述目的，本申请提供了一种高纯硒化镉的制备方法，其包括步骤：S1，将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后置于高温高压炉中，升温至800℃～1200℃同时升压至10个标准大气压及以上，保温保压进行反应直至反应结束，降温降压后出炉，得到硒化镉初料；S2，将得到的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中，升温至700℃～900℃并通入氢气进行氢化除杂，降温出炉后得到高纯硒化镉。

相对于现有技术，本申请的有益效果为：

本申请以镉粒和硒粒为原料，高温高压反应后经氢化除杂，可得到高纯硒化镉，所述制备方法工艺流程短，产品收率高，部分不合规格的产品可作为原料重复利用，适合批量生产。

具体实施方式

下面详细说明根据本申请的高纯硒化镉的制备方法。

根据本申请的高纯硒化镉的制备方法包括步骤：S1，将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后置于高温高压炉中，升温至800℃～1200℃同时升压至10个标准大气压及以上，保温保压进行反应直至反应结束，降温降压后出炉，得到硒化镉初料；S2，将得到的硒化镉初料破碎筛分后置于气氛炉中，升温至700℃～900℃并通入氢气进行氢化除杂，降温出炉后得到高纯硒化镉。

在本申请的方法中，以镉粒和硒粒为原料，经高温高压反应后，进行氢化除杂，可得到高纯硒化镉，其中，高温高压合成硒化镉初料的过程可以有效地将反应产生的废水及废气及时排出，同时工序时间较短，对环境也较为友好，而氢化除杂的过程则可以有效地除去硒化镉初料中的游离物质(例如单质硒、单质镉)，并降低硒化镉中的氧含量，使得到的高纯硒化镉中氧含量、单质硒含量及单质镉的含量均低于50ppm，从而使得到的高纯硒化镉可直接应用于半导体领域及光伏太阳能领域。

在本申请的方法中，步骤S1中，将硒粒和镉粒按一定比例均匀混合后置于石墨舟中，再将石墨舟置于高温高压炉内进行反应。

在本申请的方法中，步骤S1中，优选地，硒粒的粒径小于等于2mm。

在本申请的方法中，步骤S1中，优选地，硒粒的纯度大于等于5N。

在本申请的方法中，步骤S1中，优选地，镉粒的粒径小于等于2mm。

在本申请的方法中，步骤S1中，优选地，镉粒的纯度大于等于5N。