[发明专利]一种高性能折射率灵敏度传感器件及其测试方法在审
申请号: | 201711419348.4 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN108303397A | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 秦琳玲;李孝峰;吴邵龙;张程 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41;G01N21/552 |
代理公司: | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人: | 杨晓东 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 灵敏度 测试 表面等离子体共振 等离子体传感器 加工技术要求 灵敏度传感器 折射率传感器 灵敏度测试 超高检测 传感技术 传感器件 分析检测 实时检测 新型表面 非接触 生物膜 无损伤 折射率 标定 可用 制备 应用 医学 展示 | ||
本发明公开了一种新的高性能折射率传感器件设计方案,并进一步提出该传感器件的灵敏度测试方法,该测试方法成本较低,在生物、医学、食品等领域具有广泛应用。基于表面等离子体共振的传感技术,具有设计方案简单、结构简单、加工技术要求低、制备成本低、无需标定、实时检测、非接触、无损伤等突出特点,较高的灵敏度可用于气体、液体和生物膜等的分析检测,展示了巨大的应用前景,有望发展为具有超高检测灵敏度的新型表面等离子体传感器件及其测试方法。
技术领域
本发明涉及传感器折射率灵敏度的领域,尤其涉及高灵敏度传感器的研发应用领域。
背景技术
近年来,随着人们生活水平的不断提高和对环保的日益重视,对各种有毒、有害气体/液体的探测,对生命科学、生化检测、医疗诊断、药物筛选、食品检测、环境检测、毒品检测以及法医鉴定等方面的要求越来越高,因此对气体/液体传感器的研究开发也越来越重要。表面等离子体共振对周围环境非常敏感,界面介质折射率的微小变化将影响表面等离子体共振的耦合条件,进而引起共振峰的偏移,这使表面等离子体共振在传感器的设计中具有极大的应用价值。基于表面等离子体共振的传感技术具有无需标定、实时检测、非接触、无损伤等突出特点,可用于气体、液体和生物膜等的分析检测,展示了巨大的应用前景,有望发展为具有超高检测灵敏度的新型表面等离子体传感器。目前,表面等离子体共振的传感器主要采用衰减全反射棱镜或金属光栅结构,虽然这两种方法可以提高检测的灵敏度,但也存在体积大,不易集成的缺陷。
基于金属纳米颗粒的等离子共振传感器是根据纳米颗粒表面粒子间的相互作用引起共振峰的偏移。例如,2009年法国马赛大学的A.V.Kabashin和英国贝尔法斯特皇后学院的A.V.Zayats等一起提出了金纳米棒结构传感器,德国慕尼黑大学的S.K.Dondapati和德国伊梅诺科技大学的T.A.Klar等提出了金纳米星结构传感器,美国莱斯大学的S.Lee等提出了金双锥体结构传感器,美国犹他大学的R.Bukasov和J.S.Shumaker-Parry一起提出了金新月结构传感器,美国西北大学的L.J.Sherry和华盛顿大学的G.C.Schatz等一起提出了银纳米立方体结构传感器。尽管上述传感器在折射率测量研究方面取得了一定的进展,然而这些传感器都存在结构复杂,造价昂贵,制备工艺复杂,成本过高等缺点。而且,从这些器件的传感性能来看,折射率灵敏度均不足够高。
近年来由于贵金属纳米结构制备方法的提高,特别是纳米线阵列制备方法的成熟,使等离子共振传感技术得到了新的发展。加拿大滑铁卢大学的M.Khorasaninejad等已经提出采用硅纳米线阵列作为折射率传感器的方法,但是目前为止还没有关于贵金属-硅纳米线阵列用作传感应用方面的报道。本发明的目的就是针对上述存在的缺陷而提供一种等边三角形排布的共形硅金纳米线阵列折射率传感器。本发明的等边三角形排布的共形硅金纳米线阵列传感器具有灵敏度高、无需标定、实时检测、非接触、无损伤等突出特点,现有制作工艺成熟,大大提高了对折射率检测的灵敏度。在食品安全、环境监测、医学检验等领域具有广阔的商业化应用前景,有望被广泛推广应用。
发明内容
本发明所解决的技术问题是:提出一种新的高性能折射率传感器件设计方案,该设计方案结构简单、制备成本低,该传感器件具有较高的折射率灵敏度;并进一步提出该传感器件的灵敏度测试方法,该测试方法成本较低,在生物、医学、食品等领域具有广泛应用。
本发明的技术方案为:一种高性能折射率传感器件,其特征在通过如下步骤进行设计,具体包括:
利用有限元分析软件中的射频模块进行建模,设计硅纳米线为等边三角形阵列排布,每个等边三角形的边长为1000nm;
采用硅基底及硅纳米线,设计生成等边三角形排布的金-硅共形纳米线阵列,所述硅纳米线表面覆盖金层,所述硅基底厚度为300nm,所述硅纳米线半径为300nm,所述硅纳米线深度为500-1500nm,所述金层厚度为50-90nm。
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