[发明专利]直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片及其制备方法

权利要求书

1.一种直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片的制备方法，所述方法使用四控温区水平管式炉，所述水平管式炉包括第一控温区、第二控温区、第三控温区和第四控温区，所述方法包括以下步骤：

1)在所述四控温区水平管式炉的第一控温区放置硫，第二控温区放置锡源作为反应源，然后在第四控温区放置衬底用于沉积二硫化锡纳米片；

2)对所述四控温区水平管式炉抽真空至0.1Pa以下，通入惰性气体作为保护气和载气，从第一控温区向第四控温区吹扫；

3)分别对第二、三、四控温区加热；

其中，将第二控温区加热至200-400℃，并保温1-3小时；

将第三控温区加热至600℃-800℃，并保温1-3小时；

将第四控温区加热到300℃-500℃，并保温1-3小时；

4)将第一控温区加热至90℃-200℃，并保温1-3小时；

5)将四控温区水平管式炉降温至室温，从第四控温区中取出衬底，得到直立交错式花瓣状二硫化锡纳米片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1)中，所述锡源选自碘化亚锡、氧化锡、四氯化锡或金属锡粉。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1)中，所述硫和锡源中的锡的摩尔之比大于2:1。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在步骤1)中，所述硫和锡源中的锡的摩尔之比大于5:1。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤1)中，所述衬底选自硅片、二氧化硅片、石英片或蓝宝石片。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用前，将所述衬底用丙酮、乙醇和去离子水分别超声清洗五分钟，以去除表面杂质。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤2)中，所述惰性气体选自氮气、氩气、六氟化硫或氦气。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤2)中，所述惰性气体通入流量为20-80sccm。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在步骤2)中，所述惰性气体通入流量为30-60sccm。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在步骤2)中，所述惰性气体通入流量为40-50sccm。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在步骤2)中，所述惰性气体通入流量为45sccm。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤2)中，通入惰性气体后，所述管式炉内气压维持在5-50Pa。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在步骤2)中，通入惰性气体后，所述管式炉内气压维持在10-30Pa。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在步骤2)中，通入惰性气体后，所述管式炉内气压维持在20Pa。

15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤3)中，所述第二控温区的温度为250℃-350℃。

16.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤3)中，所述第二控温区的温度为300℃。

17.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其特征在于，在步骤3)中，所述第二控温区的升温速率为5-15℃/min。