[发明专利]一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁在审
| 申请号： | 201711420722.2 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109961856A | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 郑智颖;李彪;郑鑫;王悦;蔡伟华;王璐 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G21B1/13 | 分类号： | G21B1/13 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 邓宇 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一壁 等离子体 核聚变 直面 温度过高 材料层 导热系数 保护层 热系数 核聚变反应装置 温度分布均匀 核聚变装置 热量转移 外壁表面 热应力 壁面 壁体 覆盖 减小 外壁 侧面 | ||
【权利要求书】：
1.一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁，其特征在于，所述核聚变第一壁(1)的外壁表面覆盖一层展向导热系数高于沿厚度方向导热系数的材料层(2)；所述材料层(2)外表面在直面等离子体的壁面上还设有一层均匀的保护层(3)。
2.根据权利要求1所述的一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁，其特征在于，所述材料层(2)的材料为合成石墨片。
3.根据权利要求1所述的一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁，其特征在于，所述材料层(2)的厚度为0.017mm～0.050mm。
4.根据权利要求3所述的一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁，其特征在于，所述材料层(2)的厚度为0.017mm。
5.根据权利要求1所述的一种防止直面等离子体部分温度过高的核聚变第一壁，其特征在于，所述保护层(3)的材料为碳、钨或铍。
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