[发明专利]一种硅衬底集成气体传感器

权利要求书

1.一种硅衬底集成气体传感器，其在硅衬底中集成气体传感器，其特征在于，包括在硅衬底中包括半导体器件区以及气体传感区，在所述气体传感区中具有通过刻蚀形成的开槽，所述开槽的底部和侧壁形成一绝缘层，所述开槽的形状为正方形，所述开槽底部正方形的一边的绝缘层中设置一长条形金属电极，所述开槽的侧壁的绝缘层中设置竖直排列的金属细电极，在所述开槽底部的绝缘层上设置阵列气体传感器，阵列气体传感器包括多个阵列排布的传感位点，所述开槽、绝缘层、金属电极、金属细电极以及阵列排布的传感位点的制造步骤采用硅基半导体器件制造工艺中的方法步骤。

2.根据权利要求1所述的硅衬底集成气体传感器，其特征在于，所述长条形金属电极作为阵列气体传感器的公共电极，所述阵列气体传感器的传感位点连接至公共电极以及分别连接至金属细电极。

3.根据权利要求1或2所述的硅衬底集成气体传感器，其特征在于，所述阵列气体传感器的每个气体传感位点中采用相同的气体敏感材料。

4.根据权利要求3所述的硅衬底集成气体传感器，其特征在于，所述阵列气体传感器的传感位点为m行n列阵列，其中m≥2，n大于等于3。

5.根据权利要求1所述的硅衬底集成气体传感器，其特征在于，所述硅衬底中的开槽厚度大于硅衬底厚度的2/3。

6.根据权利要求5所述的硅衬底集成气体传感器，其特征在于，所述开槽的正方形边长的尺寸大于所述开槽厚度的10倍以上。

7.根据权利要求1所述的硅衬底集成气体传感器，其特征在于，所述气体传感区上还设置封装牺牲层，所述封装牺牲层相对于阵列气体传感器各个组成以及半导体封装材料具有高去除选择比。

8.根据权利要求7所述的硅衬底集成气体传感器，其特征在于，所述硅衬底通过封装材料封装后，在封装材料中形成连接外部与封装牺牲层的通孔，封装完成后通过液体去除封装牺牲层，所述通孔用于气体传感器上部空间与外界气体交互的通道。