[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 201711422876.5 | 申请日: | 2017-12-25 |
公开(公告)号: | CN107946336A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 孟俊生;李志伟;黄仁德;王欢 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 徐文欣,吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
1.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:
提供初始基底;
去除部分初始基底,形成基底,所述基底顶部具有若干第一开口,所述第一开口的顶部尺寸大于底部尺寸,且所述第一开口顶部所在的平面与第一开口的侧壁构成锐角;
在所述基底顶部以及第一开口内形成隔离层,所述隔离层充满第一开口;
在所述隔离层的顶部表面形成滤色镜和位于滤色镜表面的透镜。
2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述基底的形成步骤包括:在所述初始基底表面形成第一掩膜层,所述第一掩膜层暴露出部分初始基底的表面;以所述第一掩膜层为掩膜,刻蚀所述初始基底,形成基底,所述基底顶部具有第一开口。
3.如权利要求2所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述初始基底的材料包括硅;以所述第一掩膜层为掩膜,刻蚀所述初始基底的工艺包括:
湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺中的一种或者两种组合。
4.如权利要求3所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述湿法刻蚀工艺的参数包括:刻蚀剂包括四甲基氢氧化铵,所述刻蚀剂的质量分数为10%~30%。
5.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述第一开口的侧壁具有相对的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁和第二侧壁构成的夹角为:70.5度。
6.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述初始基底顶部表面的晶向为<100>;所述第一开口侧壁表面的晶向为<111>。
7.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述隔离层的材料包括二氧化硅;所述滤色镜包括:红色滤色镜、绿色滤色镜或者蓝色滤色镜,所述基底包括若干传感区,所述红色滤色镜绿色滤色镜和蓝色滤色镜分别位于不同的传感区内,且每一个传感区内具有一种颜色的滤色镜。
8.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,相邻滤色镜之间具有金属栅格;所述金属栅格的材料为金属。
9.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述基底包括若干传感区,所述传感区内具有若干第一开口,且若干第一开口底部的基底内具有光电二极管。
10.一种图形传感器,其特征在于,包括:
基底,所述基底的顶部具有第一开口,所述第一开口的顶部尺寸小于底部尺寸,且所述第一开口底部所在的平面与第一开口侧壁构成锐角;
位于所述基底顶部、以及第一开口内的隔离层,所述隔离层充满第一开口;
位于所述隔离层表面的滤色镜;
位于所述滤色镜表面的透镜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的