[发明专利]一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201711423137.8 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108198758B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 康玄武;刘新宇;郑英奎;黄森;王鑫华;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 氮化 功率 二极管 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件制作方法，其特征在于，包括：
步骤一、提供衬底以及所述衬底上的外延层；
步骤二、提供所述外延层表面进行图形化并刻蚀凹槽；
步骤三、在所述凹槽之间的所述外延层表面淀积第一阳极金属，且所述第一阳极金属铺满所述凹槽之间的所述外延层；
步骤四、在所述凹槽中和所述第一层阳极金属表面覆盖第二阳极金属；
步骤五、在所述器件背面制作阴极。
2.根据权利要求1所述的二极管器件制作方法，其特征在于，所述步骤一中的衬底为重掺杂N+-GaN衬底，所述外延层为轻掺杂N--GaN外延层。
3.根据权利要求1所述的二极管器件制作方法，其特征在于，所述步骤二通过栅槽刻蚀工艺刻蚀得到所述凹槽。
4.根据权利要求1所述的二极管器件制作方法，其特征在于，所述步骤三还包括对所述第一阳极金属进行图形化的步骤，用于实现与所述凹槽之间的外延层表面接触。
5.根据权利要求1所述的二极管器件制作方法，其特征在于，所述第一阳极金属为合金或非合金。
6.根据权利要求5述的二极管器件制作方法，其特征在于，所述第一阳极金属为高温合金，用于与所述外延层表面实现良好接触。
7.根据权利要求1所述的二极管器件制作方法，其特征在于，所述步骤四还包括对所述第二阳极金属进行图形化的步骤，用于覆盖所述凹槽内和所述第一阳极金属表面。
8.一种根据权利要求1所述的方法制作的二极管器件，其特征在于，包括：
衬底以及所述衬底上的外延层；
淀积在所述外延层表面刻蚀的凹槽之间的第一阳极金属，且所述第一阳极金属铺满所述凹槽之间的所述外延层；
填充在所述外延层表面刻蚀的凹槽内并覆盖所述第一阳极金属表面的第二阳极金属；
位于所述器件背面的阴极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
