[发明专利]一种MEMS器件及制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括：

衬底；

振膜，位于所述衬底上；

固定脚，位于所述衬底和振膜之间并且设置于所述振膜的边缘位置；

阻隔结构，贯穿设置于所述固定脚中并将所述阻隔结构两侧的所述固定脚相互隔离；

背腔，形成于所述衬底中并露出所述振膜。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述阻隔结构呈环状结构。

3.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述阻隔结构包括若干个内外嵌套并且相互隔离的环状结构。

4.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述阻隔结构和所述振膜的材料相同。

5.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件还包括：

背板，位于所述振膜的上方，

空腔，位于所述振膜和所述背板之间；

声孔，若干所述声孔相互间隔设置并且穿透所述背板，所述声孔露出所述振膜；

阻挡结构，位于所述背板面向所述空腔的表面上并向所述振膜延伸。

6.一种MEMS器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，

在所述衬底上形成固定脚材料层并图案化，以在预定形成固定脚的区域中形成阻隔结构开口并将所述阻隔结构开口两侧的所述固定脚材料层相互隔离；

在所述固定脚材料层上形成振膜并填充所述阻隔结构开口，以在形成振膜的同时形成阻隔结构；

图案化所述衬底，以在形成有所述固定脚材料层的相对的一面形成背腔，同时去除所述阻隔结构内侧的所述固定脚材料层，以露出所述振膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述阻隔结构呈环状结构。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述阻隔结构包括若干个内外嵌套并且相互隔离的环状结构。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述阻隔结构之后，形成所述背腔之前，所述方法还包括以下步骤：

在所述振膜上形成牺牲层，以覆盖所述振膜；

在所述牺牲层上形成背板。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述牺牲层的方法包括：

在所述振膜上形成第一牺牲层，以覆盖所述振膜；

图案化所述第一牺牲层，以形成第一开口；

共形沉积第二牺牲层，以填充所述第一开口并在所述第二牺牲层中形成第二开口，所述第二开口位于所述第一开口上方。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述背板的方法包括：

在所述第二牺牲层上沉积背板材料层，以覆盖所述第二牺牲层并部分填充所述第二开口；

图案化所述背板材料层，以去除所述第二开口中的所述背板材料层、形成所述背板。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在形成所述背板之后，形成所述空腔之前，所述方法还包括：

图案化所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，以形成接触孔开口、露出所述振膜；

沉积钝化层，以填充所述第二开口进而形成阻挡结构；

图案化所述钝化层，以露出所述背板和所述接触孔开口中的振膜，同时在所述钝化层和所述背板中形成若干蚀刻开口，以露出所述牺牲层；

在露出的所述振膜和所述背板上形成导电层。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在形成所述背腔之后，所述方法还包括：

去除所述振膜和所述背板之间的是牺牲层，以在所述振膜和所述背板之间形成空腔。

14.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至5之一所述的MEMS器件。