[发明专利]一种改性硅碳复合电极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，将覆有无定型碳的硅氧化物、金属盐以及还原剂在惰性气体氛围下水热反应，制得SiO_x/C/金属三元复合材料；

所述金属包括Au、Co、Mn、Ni、Ag、Pt或Zn；

所述覆有无定型碳的硅氧化物由以下方式制备：氧化亚硅在空气氛围中发生歧化反应制得硅氧化物，以有机碳源在所述硅氧化物表面沉积无定型碳，降温后真空干燥得覆有无定型碳的硅氧化物，并且所述有机碳源中添加有催化剂，所述催化剂为二茂铁。

2.根据权利要求1所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，所述水热反应的反应温度为120-250℃。

3.根据权利要求2所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，所述水热反应的反应温度为150-220℃。

4.根据权利要求1所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，当金属盐为HAuCl₄时，覆有无定型碳的硅氧化物与HAuCl₄的摩尔比以Si/Au计为1-10：1。

5.根据权利要求4所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，覆有无定型碳的硅氧化物与HAuCl₄的摩尔比以Si/Au计为2-6：1。

6.根据权利要求1所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，所述水热反应的反应体系在0.2-0.8Mpa压力条件下反应。

7.根据权利要求6所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，所述水热反应的反应体系在0.4-0.6Mpa压力条件下反应。

8.根据权利要求1所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，所述硅氧化物表面沉积无定型碳后用1-25vt％氢氟酸进行刻蚀，然后真空干燥。

9.根据权利要求1所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，氧化亚硅在空气氛围中发生歧化反应制得硅氧化物包括：氧化亚硅在具有空气气氛的容器内升温至500-1000℃，保温发生歧化反应得硅氧化物。

10.根据权利要求9所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，先升温至80-120℃，保温至少1h，然后升温至500-1000℃反应，升温速率为3-10℃/min。

11.根据权利要求1所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，以有机碳源在硅氧化物表面沉积无定型碳包括：将所述硅氧化物置于容器中升温至500-1000℃，以乙醇为碳源通入容器中进行气相沉积。

12.根据权利要求11所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，升温速率为3-10℃/min。

13.根据权利要求11所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，气相沉积时，对所述乙醇进行加热，加热温度为40-60℃。

14.根据权利要求13所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，对所述乙醇采用水浴方式进行加热。

15.根据权利要求1所述的改性硅碳复合电极材料的制备方法，其特征在于，沉积前用惰性气体纯化容器，惰性气体为氩气或氦气。

16.一种改性硅碳复合电极材料，其特征在于，由权利要求1至15任一项所述的制备方法制备而得。