[发明专利]有机电致发光显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光显示装置，其特征在于，包括：

基板；

形成于所述基板上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源/漏极；

形成于所述薄膜晶体管上的第一有机绝缘层，所述第一有机绝缘层在所述源/漏极对应的位置开设有过孔；

形成于所述第一有机绝缘层上的阳极，所述阳极通过所述过孔与所述源/漏极连接，所述阳极在所述过孔对应的位置形成凹陷部；

形成至少部分覆盖于所述阳极上的所述凹陷部的低反射率层；

形成于所述低反射率层上的第二有机绝缘层；

形成于所述阳极的发光区域上的有机发光层；

形成于所述有机发光层上的阴极。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其特征在于，所述低反射率层覆盖于所述阳极上的所述凹陷部。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其特征在于，所述低反射率层的材质包括钼、钛、二氧化铬和氮化钛中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其特征在于，所述低反射率层的厚度大于或等于20nm。

5.根据权利要求1所述的有机电致发光显示装置，其特征在于，所述低反射率层的线宽小于所述第二有机绝缘层的线宽。

6.一种有机电致发光显示装置的制备方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上制备薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源/漏极；

在所述薄膜晶体管上形成第一有机绝缘层；

在所述第一有机绝缘层开设对齐于所述源/漏极的过孔；

在所述第一有机绝缘层上形成阳极，且所述阳极覆盖于所述过孔的部分形成凹陷部，并通过所述过孔与所述源/漏极连接；

在所述阳极上形成至少部分覆盖于所述阳极上的所述凹陷部的低反射率层；

在所述低反射率层上形成第二有机绝缘层；

所述阳极的发光区域上形成有机发光层；

在所述有机发光层上形成阴极。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述在所述阳极上形成至少部分覆盖于所述阳极上的所述凹陷部的低反射率层的步骤包括：

在所述阳极上的所述凹陷部形成所述低反射率层。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述在所述阳极上的所述凹陷部形成所述低反射率层的步骤包括：

所述阳极上镀膜形成低反射率膜；

采用黄光制程对所述低反射率膜进行处理，并对所述低反射率膜进行刻蚀，在所述阳极上的所述凹陷部形成所述低反射率层。

9.根据权利要求6所述的有机电致发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述在所述低反射率层上形成第二有机绝缘层的步骤包括：

采用黄光制程在所述低反射率层上形成所述第二有机绝缘层。

10.根据权利要求6所述的有机电致发光显示装置的制备方法，其特征在于，所述低反射率层的材质为钼、钛、二氧化铬和氮化钛中的至少一种。