[发明专利]一种联合扰动式混沌激光信号发生器及其使用方法有效

专利信息
申请号: 201711425251.4 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN108199259B 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 汪钦;徐红春;周日凯;刘成刚;王云才;张明江;王安帮;赵彤;乔丽君 申请(专利权)人: 武汉光迅科技股份有限公司;太原理工大学
主分类号: H01S5/06 分类号: H01S5/06;H01S5/12
代理公司: 44341 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 何婷
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 光纤耦合器 混沌激光信号 输出端口 半导体激光器 双向光放大器 信号发生器 掺铒光纤 发生器 扰动 输出端口连接 分布式反馈 混沌激光器 不对称性 端口输出 后向散射 混沌信号 联合 光路 链路 放大 反馈 保证
【权利要求书】:

1.一种联合扰动式混沌激光信号发生器,其特征在于,包括:左分布式反馈半导体激光器(1)、光纤耦合器(2)、双向光放大器(3)、掺铒光纤(4)、光纤耦合器(5)和右分布式反馈半导体激光器(6),其中,

左分布式半导体激光器(1)的输出端口与光纤耦合器(2)的端口a连接,光纤耦合器(2)的端口b与双向光放大器(3)的端口c连接,光纤耦合器(2)的端口g作为信号发生器的第一输出端口;双向光放大器(3)的端口d与掺铒光纤(4)的端口e连接,掺铒光纤或高后向散射纤的端口f与光纤耦合器(5)的端口i连接,光纤耦合器(5)的端h可作为信号发生器的第二输出端口,光纤耦合器(5)的端口j与右分布式反馈半导体激光器(6)的输出端口连接;

其中,所述双向光放大器(3)在掺铒光纤(4)的一侧,左分布式反馈半导体激光器(1)的接收的自身的散射光和对向注入的激光都是经过双向光放大器(3)放大的,右分布式反馈半导体激光器(6)接收的散射未经放大,且来自左分布式反馈半导体激光器(1)的注入光虽被放大,但经过光纤后大幅衰减;从而保证光纤耦合器(2)的输出g端口与光纤耦合器(5)的输出h端口产生不同模式的混沌信号。

2.根据权利要求1所述的联合扰动式混沌激光信号发生器,其特征在于,所述分布式反馈半导体激光器(1)和分布式反馈半导体激光器(6)采用1550nm±20nm波长,两激光器的阈值电流相差范围在±1mA之间。

3.根据权利要求1所述的联合扰动式混沌激光信号发生器,其特征在于,光纤耦合器(2)的分光比中,主光路分光比为70%-90%,其中,从左分布式半导体激光器(1)输出的光信号中70%-90%的光信号从光纤耦合器(2)的端口b输入双向光放大器(3)的端口c,相应的30%-10%的信号从光纤耦合器(2)的端口g输出。

4.根据权利要求1所述的联合扰动式混沌激光信号发生器,其特征在于,掺铒光纤长度大于等于10-200m。

5.根据权利要求1所述的联合扰动式混沌激光信号发生器,其特征在于,所述左分布式反馈半导体激光器(1)和右分布式反馈半导体激光器(6)是带温控器的,两激光器在温控器件调节下,使激光器工作在同一温度附近,保持两激光器输出激光的中心波长基本相等,差值在±0.1nm。

6.一种联合扰动式混沌激光信号发生器的使用方法,其特征在于,

通过温控器调节左分布反馈半导体激光器(1)和右分布反馈半导体激光器(6)之间的中心波长失谐;

调节左分布反馈半导体激光器(1)和右分布反馈半导体激光器(6)的驱动电流,实现光功率设置;

左半导体激光器发出连续光经光纤耦合器(2),双向光放大器(3)和掺铒光纤(4),形成随机前向强散射光,所述随机前向强散射光经过掺铒光纤(4)端口f和光耦合器(5)到达右半导体激光器,对右半导体激光器产生随机光注入作用;右半导体激光器(6)发出连续光经光耦合器(5),掺铒光纤(4)形成随机前向弱散射,所述随机前向弱散射光经双向光放大器(3)放大后,通过光纤耦合器(2),对左半导体激光器产生随机光注入作用;

其中,所述双向光放大器(3)在掺铒光纤(4)的一侧,左分布式反馈半导体激光器(1)的接收的自身的散射光和对向注入的激光都是经过双向光放大器(3)放大的,右分布式反馈半导体激光器(6)接收的散射未经放大,且来自左分布式反馈半导体激光器(1)的注入光虽被放大,但经过光纤后大幅衰减;从而保证光纤耦合器(2)的输出g端口与光纤耦合器(5)的输出h端口产生不同模式的混沌信号。

7.根据权利要求6所述的联合扰动式混沌激光信号发生器的使用方法,其特征在于,

调整左分布反馈半导体激光器(1)和右分布反馈半导体激光器(6),使得激光器工作电流调节到激光器阈值电流的1.1~2倍,输出光波长的失谐为0GHz-30GHz,输出功率偏差低于70%。

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