[发明专利]利用后端制程实现的器件及其制造方法

权利要求书

1.一种利用后端制程实现的器件，其特征在于，包括：

导电层(101)；

在所述导电层的一部分上的第一材料层(113)，所述第一材料层具有底部部分和在底部部分的两侧从底部部分向上延伸的侧壁部分；

在所述第二材料层之上的第二材料层(115)；以及

电极，所述第二材料层在所述第一材料层和所述电极之间，

其中，所述第一材料层和所述第二材料层各自由金属氧化物形成，并且包含相同的金属元素，

其中，所述第一材料层和所述第二材料层中的一个是氧缺乏层，而另一个是富氧层，并且

其中，所述器件被配置为能够通过在所述导电层和所述电极之间施加预定的电压差而改变所述器件中所述导电层和所述电极之间的导通状态。

2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述器件能够在在所述导电层和所述电极之间不施加电压的情况下保持所述导通状态。

3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，其中：

所述第二材料层具有底部部分和在底部部分的两侧从底部部分向上延伸的侧壁部分，

所述第二材料层的底部部分与所述第一材料层的底部部分邻接，所述第二材料层的侧壁部分与所述第一材料层的相应的侧壁部分邻接。

4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括：

第一导电缓冲层(107)，其设置在所述第一材料层和所述导电层之间。

5.如权利要求4所述的器件，其特征在于，其中：

所述第一导电缓冲层具有在所述导电层的所述部分之上的底部部分和在底部部分的两侧从底部部分向上延伸的侧壁部分。

6.如权利要求1所述的器件，其特征在于，其中所述电极包括：

在所述第二材料层之上的第二导电缓冲层(1171)；以及

在所述第二导电缓冲层之上的金属材料层(1173)。

7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，其中，所述导电层为金属层，并且所述器件不包括有源层。

8.一种利用后端制程制造器件的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括导电层和绝缘层，所述绝缘层具有开口，所述开口具有侧壁并露出所述导电层的至少一部分；

形成第一材料层(113)和在所述第一材料层上的第二材料层(115)，其中所述第一材料层覆盖所述开口的侧壁和所述导电层的所露出的部分；以及

在所述第二材料层之上形成电极，所述第二材料层在所述第一材料层和所述电极之间，

其中，所述第一材料层和所述第二材料层各自由金属氧化物形成，并且包含相同的金属元素，

其中，所述第一材料层和所述第二材料层中的一个是氧缺乏层，而另一个是富氧层，并且

其中，所述器件被配置为能够通过在所述导电层和所述电极之间施加预定的电压差而改变所述器件中所述导电层和所述电极之间的导通状态。

9.一种利用后端制程制造器件的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括导电层和绝缘层，所述绝缘层具有开口，所述开口具有侧壁并露出所述导电层的至少一部分；

形成第一导电缓冲层，所述第一导电缓冲层覆盖所述开口的侧壁和所述导电层的所露出的部分；

在所述第一导电缓冲层上形成第一材料层(113)和在所述第一材料层上的第二材料层(115)；以及

在所述第二材料层之上形成电极，所述第二材料层在所述第一材料层和所述电极之间，

其中，所述第一材料层和所述第二材料层各自由金属氧化物形成，并且包含相同的金属元素，

其中，所述第一材料层和所述第二材料层中的一个是氧缺乏层，而另一个是富氧层，并且

其中，所述器件被配置为能够通过在所述导电层和所述电极之间施加预定的电压差而改变所述器件中所述导电层和所述电极之间的导通状态。

10.一种操作如权利要求1-7中任一项所述的器件的方法，其特征在于，包括：

在所述导电层和所述电极之间提供第一极性的第一脉冲，以将器件置于高阻抗状态。