[发明专利]一种平行排列的SiO2 有效
| 申请号： | 201711426036.6 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108147418B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 杨喜宝;吕航;王莉丽;李波欣;陈双龙;董恩来;赵景龙;刘秋颖;姚震 | 申请（专利权）人： | 渤海大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 121013 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平行 排列 sio base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种平行排列的SiO2纳米线制备方法，其特征在于：制备出的纳米线分布均匀，纳米线之间成平行结构排列，且不含催化剂：
该方法步骤如下：
第一步：将基底Si片预处理，用丙酮超声，再用等离子水清洗，用酒精清洗石英舟；
第二步：使用SiO纳米粉作为反应源放入石英舟一端，然后将处理好的基底Si片抛光面向下放置于石英舟内，保证其逐一间隔排列在反应源上方且不与反应源接触，再将装有基底和反应源的石英舟放入通有Ar保护气体的高温管式炉中，氩气流量为80-90mL/min；
第三步：将炉内温度升至反应源需要发生反应的适应温度，保温2-3hrs，反应结束后将待炉内温度降至低温取出后发现基底基片上生长了白色絮状物即为所述的平行排列的SiO2纳米线，其中，反应源的反应温度范围在1140-1160℃，生成白色絮状物的沉积温度范围在1120-1150℃。
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