[发明专利]一种单层电容器及制备方法在审
| 申请号： | 201711426144.3 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN107946074A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 丁明建;李杰成;杨俊锋;冯毅龙;庄彤 | 申请（专利权）人： | 广州天极电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/06 | 分类号： | H01G4/06;H01G4/30;H01G13/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所11569 | 代理人： | 王戈 |
| 地址： | 510000 广东省广州市海珠区大干*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单层 电容器 制备 方法 | ||
1.一种单层电容器，其特征在于，所述单层电容器包括：上电极、第一介质层、内电极、第二介质层和下电极；所述上电极与所述内电极通过所述第一介质层连接，所述内电极与所述下电极通过所述第二介质层连接；所述第一介质层的厚度小于所述第二介质层的厚度；
其中，所述第二介质层设有通孔，所述通孔中填充有电极材料，所述电极材料连接所述内电极和所述下电极。
2.根据权利要求1所述的单层电容器，其特征在于，所述通孔的横截面为圆形。
3.根据权利要求1所述的单层电容器，其特征在于，所述电极材料为金属。
4.根据权利要求1所述的单层电容器，其特征在于，所述电极材料为金、铂金、银、银钯、镍和/或铜。
5.根据权利要求2所述的单层电容器，其特征在于，所述圆形的直径为0.05～1.0毫米。
6.根据权利要求1所述的单层电容器，其特征在于，所述第一介质层的厚度为5～30微米，所述第二介质层的厚度为80～200微米。
7.一种单层电容器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
制作第一膜带和第二膜带；
对所述第二膜带冲出阵列排布的通孔；
在所述第二膜带的一面印上一层电极浆料图形，同时在所述通孔内注满电极浆料；
将所述第一膜带和所述第二膜带对齐叠加在一起，制备所需电容器的生坯体；
对所述生坯体进行烧结，形成陶瓷片；
在所述陶瓷片上制备上电极和下电极，形成带有电极的陶瓷基片；
对所述带有电极的陶瓷基片进行划切，形成一个个独立的电容器。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述对所述第二膜带冲出阵列排布的通孔采用的方法为机械法或激光法。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述在所述陶瓷片上制备上电极和下电极采用的方法为金属浆料烧结、溅射和/或电镀。
10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备所需电容器的生坯体，具体包括：经热压、静水压后制备所需电容器的生坯体。
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