[发明专利]一种多通道集成滤光片的光隔离结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201711426682.2 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN107907935A 公开(公告)日: 2018-04-13
发明(设计)人: 周东平 申请(专利权)人: 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司
主分类号: G02B6/12 分类号: G02B6/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州市工业园区娄*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 通道 集成 滤光 隔离 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种多通道集成滤光片的光隔离结构,其特征在于,包括设置在基片表面上的黑铬金属膜层,以阻止光线通过,所述黑铬金属膜层分布于多通道集成滤光片通道间的空白区域;

还包括消光层,所述消光层由第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层组成,所述第一氧化铬膜层设置在所述黑铬金属膜层上,所述第一二氧化硅膜层设置在所述第一氧化铬膜层上,所述第二氧化铬膜层设置在所述第一二氧化硅膜层上,所述第二二氧化硅膜层设置在所述第二氧化铬膜层上。

2.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构,其特征在于,所述黑铬金属膜层的厚度为200-500纳米,所述第一氧化铬膜层的厚度为45-50纳米,所述第一二氧化硅膜层的厚度为200-220纳米,所述第二氧化铬膜层的厚度为120-140纳米,所述第二二氧化硅膜层的厚度为85-95纳米。

3.一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、使用机械掩膜夹具夹持基片,以使基片上仅有需设置光隔离结构的表面露出;

S2、将机械掩膜夹具和基片一起放入镀膜工件载盘,再装入真空镀膜系统;

S3、在基片露出表面上镀制黑铬金属膜层;

S4、在黑铬金属膜层上镀制第一氧化铬膜层;

S5、在第一氧化铬膜层上镀制第一二氧化硅膜层;

S6、在第一二氧化硅膜层上镀制第二氧化铬膜层;

S7、在第二氧化铬膜层上镀制第二二氧化硅膜层即得光隔离结构。

4.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,所述基片选自玻璃、石英、蓝宝石、硫化锌、硒化锌光学材料中的一种。

5.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,所述黑铬金属膜层的厚度为200-500纳米,所述第一氧化铬膜层的厚度为45-50纳米,所述第一二氧化硅膜层的厚度为200-220纳米,所述第二氧化铬膜层的厚度为120-140纳米,所述第二二氧化硅膜层的厚度为85-95纳米。

6.根据权利要求5所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,所述第一氧化铬膜层的厚度为50纳米,所述第一二氧化硅膜层的厚度为200纳米,所述第二氧化铬膜层的厚度为130纳米,所述第二二氧化硅膜层的厚度为90纳米。

7.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,步骤S3至步骤S7中采用精度为1纳米的石英晶体振荡膜层厚度控制仪控制黑铬金属膜层、第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层的厚度。

8.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,步骤S4至步骤S7中采用氧气离子辅助镀膜工艺辅助镀制第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层。

9.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,步骤S3的实施温度为室温至100摄氏度,步骤S4-S7的实施温度为150摄氏度至300摄氏度。

10.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,步骤S3的实施真空压强不大于1x10-3Pa,步骤S4-S7的实施真空压强不大于3x10-2Pa。

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