[发明专利]一种多通道集成滤光片的光隔离结构及其制造方法在审
申请号: | 201711426682.2 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN107907935A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 周东平 | 申请(专利权)人: | 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/12 | 分类号: | G02B6/12 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业园区娄*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 通道 集成 滤光 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种多通道集成滤光片的光隔离结构,其特征在于,包括设置在基片表面上的黑铬金属膜层,以阻止光线通过,所述黑铬金属膜层分布于多通道集成滤光片通道间的空白区域;
还包括消光层,所述消光层由第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层组成,所述第一氧化铬膜层设置在所述黑铬金属膜层上,所述第一二氧化硅膜层设置在所述第一氧化铬膜层上,所述第二氧化铬膜层设置在所述第一二氧化硅膜层上,所述第二二氧化硅膜层设置在所述第二氧化铬膜层上。
2.根据权利要求1所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构,其特征在于,所述黑铬金属膜层的厚度为200-500纳米,所述第一氧化铬膜层的厚度为45-50纳米,所述第一二氧化硅膜层的厚度为200-220纳米,所述第二氧化铬膜层的厚度为120-140纳米,所述第二二氧化硅膜层的厚度为85-95纳米。
3.一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、使用机械掩膜夹具夹持基片,以使基片上仅有需设置光隔离结构的表面露出;
S2、将机械掩膜夹具和基片一起放入镀膜工件载盘,再装入真空镀膜系统;
S3、在基片露出表面上镀制黑铬金属膜层;
S4、在黑铬金属膜层上镀制第一氧化铬膜层;
S5、在第一氧化铬膜层上镀制第一二氧化硅膜层;
S6、在第一二氧化硅膜层上镀制第二氧化铬膜层;
S7、在第二氧化铬膜层上镀制第二二氧化硅膜层即得光隔离结构。
4.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,所述基片选自玻璃、石英、蓝宝石、硫化锌、硒化锌光学材料中的一种。
5.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,所述黑铬金属膜层的厚度为200-500纳米,所述第一氧化铬膜层的厚度为45-50纳米,所述第一二氧化硅膜层的厚度为200-220纳米,所述第二氧化铬膜层的厚度为120-140纳米,所述第二二氧化硅膜层的厚度为85-95纳米。
6.根据权利要求5所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,所述第一氧化铬膜层的厚度为50纳米,所述第一二氧化硅膜层的厚度为200纳米,所述第二氧化铬膜层的厚度为130纳米,所述第二二氧化硅膜层的厚度为90纳米。
7.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,步骤S3至步骤S7中采用精度为1纳米的石英晶体振荡膜层厚度控制仪控制黑铬金属膜层、第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层的厚度。
8.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,步骤S4至步骤S7中采用氧气离子辅助镀膜工艺辅助镀制第一氧化铬膜层、第一二氧化硅膜层、第二氧化铬膜层、第二二氧化硅膜层。
9.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,步骤S3的实施温度为室温至100摄氏度,步骤S4-S7的实施温度为150摄氏度至300摄氏度。
10.根据权利要求3所述的一种多通道集成滤光片的光隔离结构的制造方法,其特征在于,步骤S3的实施真空压强不大于1x10-3Pa,步骤S4-S7的实施真空压强不大于3x10-2Pa。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶鼎鑫光电科技有限公司,未经苏州晶鼎鑫光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711426682.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。