[发明专利]非易失性存储器件、其操作方法及存储设备

说明书

一种非易失性存储器件执行包括以下步骤的方法：使得非易失性存储器件的就绪/忙碌信号引脚指示非易失性存储器件处于预充电忙碌状态，其中非易失性存储器件不能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作；将一个或多个字线预充电电压施加到非易失性存储器件的多条字线中的一条或多条选定的字线以对选定的字线进行预充电；以及在预充电操作的至少一部分之后，使得就绪/忙碌信号引脚从指示预充电忙碌状态转变为指示非易失性存储器件处于就绪状态，其中非易失性存储器件能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年1月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0008782的优先权，该申请的公开内容通过引用全部并入本文中。

技术领域

本文公开的发明构思的实施例涉及半导体电路，并且更具体地涉及非易失性存储器件、非易失性存储器件的操作方法和包括非易失性存储器件的存储设备。

背景技术

存储设备是指在主机设备(例如，计算机、智能电话和智能板)的控制下存储数据的设备。存储设备包括将数据存储在诸如硬盘驱动器(HDD)之类的磁盘上的设备或者将数据存储在半导体存储器(特别是非易失性存储器，例如固态驱动器(SSD)或存储卡)上的设备。

非易失性存储器包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存设备、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

随着半导体制造技术的发展，存储设备的集成度及其容量不断提高。存储设备的高集成度使得可以降低制造存储设备所需的成本。然而，存储设备的高集成度会导致存储设备的规模缩小和结构变化，从而出现各种新问题。这样的问题导致存储设备中存储的数据的损坏，从而降低存储设备的可靠性。需要能够提高存储设备的可靠性的方法和设备。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种具有改进的可靠性的非易失性存储器件、该非易失性存储器件的操作方法以及包括该非易失性存储器件的存储设备。

在一个方面，一种非易失性存储器件包括：存储单元阵列，包括被配置为在其中存储数据的多个非易失性存储单元，其中每个非易失性存储单元连接到所述存储单元阵列的多条字线中的一条和多条位线中的一条；行解码器，连接到所述字线并被配置为选择性地将至少一个字线电压施加到所述字线中的至少一条；页缓冲器，连接到所述多条位线；以及就绪/忙碌信号引脚。所述非易失性存储器件被配置为通过以下操作来执行字线预充电操作：使得所述就绪/忙碌信号引脚指示所述非易失性存储器件处于预充电忙碌状态，在所述预充电忙碌状态下所述非易失性存储器件不能够执行对所述非易失性存储单元的存储器访问操作；将一个或多个字线预充电电压施加到所述多条字线中的一条或多条选定的字线以对所述选定的字线进行预充电；以及在所述字线预充电操作的至少一部分之后，使得所述就绪/忙碌信号引脚从指示所述预充电忙碌状态转变为指示所述非易失性存储器件处于就绪状态，在所述就绪状态下所述存储器件能够执行对所述非易失性存储单元的存储器访问操作。