[发明专利]一种多模态高频谐振充电电路

权利要求书

1.一种多模态高频谐振充电电路，其特征在于，包括：依次连接的直流源(1)，多桥臂并联的逆变桥(2)，多路谐振槽(3)，多绕组变压器(4)，高频整流桥(5)和滤波电容(6)；

多桥臂并联的逆变桥(2)由N个桥臂并联而成；

多路谐振槽(3)至少包括N个等效谐振元件；

多绕组变压器(4)为多磁路并联结构，至少具有N个分支磁路，多绕组变压器(4)的原边绕组至少有N-1个，分别与桥臂中点电气连接；多绕组变压器(4)的副边绕组至少1个，与所述高频整流桥(5)电气连接；

工作时，直流源(1)经过N对桥臂并联的逆变桥(2)产生N-1路交流方波电压，经过多路谐振槽(3)得到N路的交流谐振电流，在N-1路原边绕组的作用下产生了N-1路磁通的变化Δφ₁～Δφ_N-1，从而引起副边绕组的磁通变化：从而在副边感应出交流电压整流后对滤波电容(6)和负载(7)充电；

其中，N为大于等于3的整数，Δφ₁为在第1路原边绕组的作用下产生的第1路磁通的变化，Δφ_N-1为在第N-1路原边绕组的作用下产生的第N-1路磁通的变化，i表示第i个磁柱，Δφ_i为第i个磁柱的磁通变化量，n为副边绕组匝数，φ为磁通，t为时间。

2.如权利要求1所述的多模态高频谐振充电电路，其特征在于，所述谐振槽(3)具有N个输入端和N个输出端，每对输入端和输出端之间阻抗均不为零。

3.如权利要求1所述的多模态高频谐振充电电路，其特征在于，所述多绕组变压器(4)中副边感应电压的磁通变化等于N-1个原边绕线磁路的磁通增量，且原边N-1个磁路磁通的变化互不影响。

4.如权利要求1所述的多模态高频谐振充电电路，其特征在于，所述逆变桥(2)为IGBT、MOSFET或者其他全控型器件，具有反并联二极管，电流可以反向流通。

5.如权利要求1-4任一项所述的多模态高频谐振充电电路，其特征在于，所述多绕组变压器(4)中的副边绕阻在唯一一个副边磁柱上绕线；副边绕阻的磁通等于原边磁柱磁通之和。

6.如权利要求1-4任一项所述的多模态高频谐振充电电路，其特征在于，所述多绕组变压器(4)中的副边绕阻在原边N-1个磁柱上绕线，每一个原边磁柱均绕线，并依次串联。