[发明专利]一种碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法

权利要求书

1.一种碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：该方法步骤如下：

a、以碳材料为基底；

b、将C粉、SiC粉、B₄C粉和化学纯硅溶胶按照质量比30～40%:30～50%:10～20%:50～60%混合均匀配制成浆料，将浆料均匀地刷涂或者喷涂在碳材料表面，然后烘干；

c、以单质硅为原料通过气相渗硅工艺对具有预涂层的碳材料进行气相渗硅处理，便在碳材料表面得到了致密的硼改性Si-SiC涂层。

2.根据权利要求1所述的碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤（c）中的气相渗硅工艺参数为：真空度100Pa～3000Pa，渗硅温度1500℃～1700℃，保温时间1h～3h。

3.根据权利要求1所述的碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤（a）、（b）、（c）中的碳材料指石墨材料。

4.根据权利要求1或3所述的碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤（a）中的碳材料需要采用砂纸打磨棱角，并以乙醇为介质超声清洗后烘干。

5.根据权利要求4所述的碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：所述的碳材料打磨棱角后，超声清洗8min～15min并在95℃～100℃的温度条件下烘干。

6.根据权利要求1所述的碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤（b）中的烘干温度为95～100℃。

7.根据权利要求1或6所述的碳材料表面中低温抗氧化涂层的制备方法，其特征在于：所述步骤（b）中的将浆料均匀地刷涂或者喷涂在碳材料表面后烘干的过程需要重复进行，直至碳材料单位表面积上质量增加为0.2mg/mm²～0.5mg/mm²。