[发明专利]固态摄像器件以及电子装置

权利要求书

1.一种固态摄像器件，包括：

多个像素，所述多个像素中的像素包括：

第一半导体区，包括光电转换区；以及

第二半导体区，包括电荷积累区和位于所述电荷累积区上的非黄铜矿类化合物半导体，所述非黄铜矿类化合物半导体是晶格键合的或伪晶格键合的，

其中，所述第一半导体区和所述第二半导体区沿垂直方向堆叠，并且

其中，所述电荷积累区包括硅。

2.根据权利要求1所述的固态摄像器件，还包括：

电极，堆叠在所述第一半导体区上。

3.根据权利要求1所述的固态摄像器件，还包括：

传输栅极，堆叠在所述第二半导体区上。

4.根据权利要求1所述的固态摄像器件，还包括：

电荷阻挡区，堆叠在所述第一半导体区上。

5.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述第一半导体区设置在第一电荷阻挡区和第二电荷阻挡区之间。

6.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述电荷积累区设置在半导体基板中，所述半导体基板包括多个晶体管。

7.根据权利要求6所述的固态摄像器件，其中，所述多个晶体管包括传输晶体管、复位晶体管、放大晶体管和选择晶体管中的至少一个晶体管。

8.根据权利要求6所述的固态摄像器件，其中，所述半导体基板包括浮动扩散部和读出电路。

9.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述第一半导体区包括化合物半导体。

10.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述第一半导体区是黄铜矿类化合物半导体。

11.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述固态摄像器件是背侧照明型。

12.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述第一半导体区堆叠在由所述非黄铜矿类化合物半导体形成的暗电流抑制区上。

13.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述第一半导体区中生成的电荷被传输至所述第二半导体区。

14.根据权利要求1所述的固态摄像器件，其中，所述固态摄像器件具有全局快门功能。

15.根据权利要求10所述的固态摄像器件，其中，所述黄铜矿类化合物半导体是晶格匹配的或伪似晶格匹配的。

16.根据权利要求12所述的固态摄像器件，其中，所述暗电流抑制区由多个暗电流抑制层构成。

17.根据权利要求1所述的固态摄像器件，还包括：

传输栅极，设置在所述第二半导体区的第一表面上，其中，所述第一半导体区堆叠在所述第二半导体区的第二表面上，所述第二半导体区的所述第二表面与所述第二半导体区的所述第一表面相对。

18.一种固态摄像器件，包括：

第一半导体区，包括化合物材料；

第二半导体区，包括硅基板和位于所述硅基板上的非黄铜矿类化合物半导体，所述非黄铜矿类化合物半导体是晶格键合的或伪晶格键合的；

其中，所述第一半导体区和所述第二半导体区沿垂直方向堆叠，并且

其中，所述第一半导体区包括光电转换区，且从所述光电转换区生成的电荷被传输至所述第二半导体区，并且

其中，所述第二半导体区积累所述电荷。