[发明专利]一种SiC MOSFET串联电路

权利要求书

1.一种SiC MOSFET串联电路，其特征在于：包括N个MOSFET管和N个MOSFET管驱动电路；

N个MOSFET管依次串联构成MOSFET串，第i个MOSFET管的漏极与第i+1个MOSFET管的源极连接，i为整数，1≤i≤N-1，第1个MOSFET管的源极为MOSFET串的源极，第1个MOSFET管的栅极为MOSFET串的栅极，第N个MOSFET管的漏极为MOSFET串的漏极；

第1个MOSFET管驱动电路向第1个MOSFET管的栅极输入驱动脉冲P_GM，其余N-1个MOSFET管驱动电路依次串联，第2个MOSFET管驱动电路的输入端与第1个MOSFET管的源极连接，第j个MOSFET管驱动电路的输出端还与第j个MOSFET管的栅极连接，2≤j≤N；

第2个至第N个MOSFET管驱动电路结构一致，包括驱动电源、二极管、静态均压电阻和电阻电容串联回路，驱动电源的正极与二极管的阳极连接，驱动电源的负极、静态均压电阻的一端以及电阻电容串联回路的一端连接成第一节点，第一节点为MOSFET管驱动电路的输入端；二极管的阴极、静态均压电阻的另一端以及电阻电容串联回路的另一端连接成第二节点，第二节点为MOSFET管驱动电路的输出端；

外部电源连接第1个隔离DC-DC，第1个隔离DC-DC的输出即为第1个驱动电路的驱动电源，第i个驱动电路的驱动电源连接第i+1个隔离DC-DC，第i+1个隔离DC-DC的输出即为第i+1个驱动电路的驱动电源；

第N个MOSFET管驱动电路的输出端与第N个MOSFET管的漏极之间设置有电阻电容串联回路，电阻电容串联回路两端还并接有静态均压电阻。

2.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET串联电路，其特征在于：还包括N个驱动电阻，驱动电阻的两端分别与MOSFET管驱动电路的输出端以及该MOSFET管驱动电路驱动的MOSFET栅极连接。

3.根据权利要求1所述的一种SiC MOSFET串联电路，其特征在于：第1个MOSFET管驱动电路为图腾柱电路。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的一种SiC MOSFET串联电路，其特征在于：N＝6。