[发明专利]多晶硅高阻的制作方法

权利要求书

1.一种多晶硅高阻的制作方法，其特征在于，包括：

在具有预设厚度的多晶硅层进行掺杂，以形成轻掺杂多晶硅上层和非掺杂多晶硅下层；

在所述轻掺杂多晶硅上层表面形成二氧化硅阻挡层；

对所述二氧化硅阻挡层和所述轻掺杂多晶硅上层进行刻蚀，以将多晶硅高阻区域刻蚀出来；

在所述多晶硅高阻区域的周围形成氮化硅侧墙；

利用所述氮化硅侧墙和所述二氧化硅阻挡层的阻挡，对所述非掺杂多晶硅下层进行重掺杂，以在所述多晶硅高阻区域的侧下方形成重掺杂多晶硅区域；

通过刻蚀将所述重掺杂多晶硅区域和所述多晶硅高阻区域相互隔离；

所述轻掺杂多晶硅上层的刻蚀过程中，多晶硅刻蚀深度大于所述轻掺杂多晶硅上层的厚度，但小于整个多晶硅层的厚度，以使得所述非掺杂多晶硅下层被部分刻蚀而在所述多晶硅高阻区域底部形成非掺杂多晶硅突起。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在硅衬底表面形成二氧化硅底层；

在所述二氧化硅底层表面形成具有所述预设厚度的多晶硅层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层的厚度为0.1微米至2.0微米。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层的掺杂采用砷离子在所述多晶硅层的上半部分进行离子注入处理，且所述多晶硅层的下半部分不进行砷离子注入，从而使得所述多晶硅层的上半部分和下半部分分别形成所述轻掺杂多晶硅上层和所述非掺杂多晶硅下层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述砷离子的注入剂量是1.0E11～1.0E14个/平方厘米，且注入能量为20～200KEV。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述多晶硅高阻区域的周围形成氮化硅侧墙的步骤包括：

在所述二氧化硅阻挡层和所述多晶硅高阻区域覆盖氮化硅层；

对所述氮化硅层进行刻蚀来在所述多晶硅高阻区域的周围形成氮化硅侧墙。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层形成之后覆盖经过刻蚀的二氧化硅阻挡层和所述轻掺杂多晶硅上层刻蚀形成的多晶硅高阻区域，并且同时覆盖所述非掺杂多晶硅下层的主体以及所述多晶硅高阻区域底部的非掺杂多晶硅突起。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述重掺杂多晶硅区域采用在炉管中采用三氯氧磷进行重掺杂处理。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：在所述重掺杂多晶硅区域形成之后，去除所述二氧化硅阻挡层和所述氮化硅侧墙。