[发明专利]含硅树脂组合物、含硅树脂薄膜、二氧化硅薄膜、发光显示元件面板以及发光显示装置有效

专利信息
申请号: 201711429670.5 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN108250754B 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 野田国宏;千坂博树;塩田大 申请(专利权)人: 东京应化工业株式会社
主分类号: C08L83/04 分类号: C08L83/04;C08L83/16;C08K9/10;C08K3/30;C08K3/32;H01L51/54
代理公司: 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 代理人: 王璐瑶;侯莉
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 硅树脂 组合 薄膜 二氧化硅 发光 显示 元件 面板 以及 显示装置
【权利要求书】:

1.一种含硅树脂组合物,其特征在于,含有:含硅树脂(A)、具有芯-壳体结构的量子点(B)和溶剂(S),所述含硅树脂(A)选自聚硅氧烷树脂以及聚硅烷中的1种以上,所述溶剂(S)包含下式(S1)表示的乙酸环烷基酯:

【化学式1】

式(S1)中,Rs1是碳原子数1~3的烷基,p为1~6的整数,q为0~(p+1)的整数,

所述溶剂(S)的含量是以使含硅树脂组合物的固态成分浓度为1~50质量%的量。

2.如权利要求1所述的含硅树脂组合物,其特征在于,

所述含硅树脂(A)选自聚硅氧烷树脂以及聚硅烷中的1种以上,

所述聚硅氧烷树脂是对从下式(A1)表示的硅烷化合物选择的至少1种硅烷化合物进行水解缩合而得到的聚硅氧烷树脂,

R4-nSi(OR’)n…(A1)

在所述式(A1)中,R表示氢原子、碳原子数为1、2或3的烷基、芳基或者芳烷基,R’表示碳原子数为1、2或3的烷基或者苯基,

所述芳基、所述芳烷基和所述苯基具有或不具有取代基,所述取代基是羟基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、甲基、乙基或丙基,n表示2~4的整数,在Si键合有多个R的情况下,该多个R相同或者不同,此外,Si键合的多个(OR’)基团相同或者不同。

3.如权利要求1所述的含硅树脂组合物,其特征在于,

所述壳体的材质是从ZnS以及ZnSe构成的组中选择的至少1种。

4.如权利要求1所述的含硅树脂组合物,其特征在于,

所述溶剂(S)中的式(S1)表示的乙酸环烷基酯的含量是30质量%以上100质量%以下。

5.如权利要求1所述的含硅树脂组合物,其特征在于,还包含固化剂(C)。

6.一种含硅树脂薄膜的制造方法,其特征在于,包含如下工序:

形成由权利要求1~5的任一项所述的含硅树脂组合物形成的涂膜;和

从所述涂膜除去溶剂(S)。

7.如权利要求6所述的含硅树脂薄膜的制造方法,其特征在于,所述含硅树脂薄膜的膜厚为2~300μm。

8.一种含硅树脂薄膜,利用权利要求6所述的含硅树脂薄膜的制造方法来制造,其特征在于,在包括含硅树脂(A)的基质中分散有量子点(B),且所述含硅树脂薄膜的膜厚为2~300μm。

9.一种二氧化硅薄膜的制造方法,其特征在于,包含如下工序:

形成由权利要求1~5的任一项所述的含硅树脂组合物形成的涂膜;和

对所述涂膜进行烧制。

10.如权利要求9所述的二氧化硅薄膜的制造方法,其特征在于,所述二氧化硅薄膜的膜厚为2~300μm。

11.一种二氧化硅薄膜,利用权利要求9所述的二氧化硅薄膜的制造方法来制造,其特征在于,在包括二氧化硅的基质中分散有量子点(B)。

12.如权利要求11所述的二氧化硅薄膜,其特征在于,膜厚为2~300μm。

13.一种发光显示元件用的光学薄膜,其特征在于,包括权利要求8所述的含硅树脂薄膜或者权利要求11或12记载的二氧化硅薄膜。

14.一种层叠体,其特征在于,包含选自权利要求8所述的含硅树脂薄膜以及权利要求11或12所述的二氧化硅薄膜中的1种以上的薄膜。

15.如权利要求14所述的层叠体,其特征在于,所述含硅树脂薄膜以及所述二氧化硅薄膜中的2种的薄膜以分别相接的方式层叠。

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