[发明专利]一种基于石墨烯晶体管的DNA传感器及其制备方法和在DNA检测中的应用

权利要求书

1.一种基于石墨烯晶体管的DNA传感器，包括电子级玻璃和设置于所述电子级玻璃上的栅极、源极和漏极；所述源极和漏极之间设置有石墨烯沟道；所述石墨烯沟道为单层石墨烯；所述栅极表面固定有单链DNA；所述栅极、源极和漏极独立地包括铬层和金层，所述铬层位于电子级玻璃和金层之间；所述石墨烯沟道的宽度为0.2～0.3mm，石墨烯沟道的长度为4～8mm。

2.根据权利要求1所述的基于石墨烯晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述铬层的厚度为6～10nm，所述金层的厚度为70～90nm。

3.根据权利要求1所述的基于石墨烯晶体管的DNA传感器，其特征在于，所述单链DNA经巯基修饰固定于栅极表面。

4.权利要求1～3任意一项所述基于石墨烯晶体管的DNA传感器的制备方法，包括以下步骤：

(1)在电子级玻璃表面制备栅极、源极和漏极，使所述源极和漏极之间存在沟道；

(2)将石墨烯平铺在源极和漏极之间的沟道上，得到石墨烯晶体管；

(3)在所述步骤(2)得到的石墨烯晶体管的栅极表面固定单链DNA，得到基于石墨烯晶体管的DNA传感器。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中栅极、源极和漏极的制备包括：采用热蒸发镀膜法在电子级玻璃表面依次蒸镀铬层和金层。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中石墨烯的平铺包括：采用湿法转移将金属基底单层石墨烯转移至源极和漏极之间的沟道上。

7.权利要求1～3任意一项所述基于石墨烯晶体管的DNA传感器或权利要求4～6任意一项所述制备方法制备的基于石墨烯晶体管的DNA传感器在DNA检测中的应用，其特征在于，将所述基于石墨烯晶体管的DNA传感器的栅极和石墨烯沟道部分浸没于含有待测DNA的电解质中。