[发明专利]阵列基板及其制备方法、柔性OLED显示器件在审
| 申请号： | 201711429925.8 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108074864A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 张鹏振 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列基板 低温多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 缓冲层 衬底 制备 等离子增强化学气相沉积法 沉积非晶硅薄膜 沉积金属铝膜 低温多晶硅 氢氟酸清洗 图案化处理 有机物污染 金属铝膜 晶化处理 去氢处理 致密性高 腔体 沉积 缓解 | ||
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
提供柔性衬底，在所述柔性衬底上沉积金属铝膜；
采用等离子增强化学气相沉积法在所述金属铝膜上沉积缓冲层；
在所述缓冲层之上沉积非晶硅薄膜；
对所述非晶硅薄膜进行晶化处理，使所述非晶硅薄膜转变成低温多晶硅薄膜；
对所述低温多晶硅薄膜进行图案化处理，形成一定形状的低温多晶硅层。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属铝膜的厚度为0.05-1μm。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属铝膜是采用物理气相沉积的方式形成；所述金属铝膜的沉积温度为100-350℃。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氮化硅和氧化硅中的至少一种；所述缓冲层的厚度为0.05-1μm。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对所述非晶硅薄膜进行晶化处理之前还包括：对所述非晶硅薄膜依次进行去氢处理和氢氟酸清洗。
6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述晶化处理的方式包括准分子激光结晶化法或固相晶化法。
7.一种阵列基板，其特征在于，包括柔性衬底，以及依次设置在所述柔性衬底上的金属铝膜、缓冲层和低温多晶硅层。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述金属铝膜的厚度为0.05-1μm；所述缓冲层的厚度为0.05-1μm。
9.一种柔性OLED显示器件，其特征在于，包括柔性衬底，以及依次设置在所述柔性衬底上的金属铝膜、缓冲层和低温多晶硅层；
在所述低温多晶硅层上还设置有TFT阵列层；
在所述TFT阵列层之上设置有OLED元件层。
10.如权利要求9所述的柔性OLED显示器件，其特征在于，所述TFT阵列层包括依次设置在所述低温多晶硅层上的栅极绝缘层、栅极层、层间介电层、源极、漏极和平坦层；
所述OLED元件层包括阳极、有机发光层和阴极；所述阳极位于所述TFT阵列层中的平坦层之上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
