[发明专利]智能功率模块铝基板及其分板方法、定位装置和空调器在审
申请号: | 201711430464.6 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108172520A | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 李媛媛;冯宇翔 | 申请(专利权)人: | 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L25/16;H01L21/68 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 528311 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 铝基板 智能功率模块 切割线 分板 预设 切割 定位装置 方向设置 空调器 通孔 平行 生产效率 使用寿命 预先制作 定位孔 交点处 印刷 保留 | ||
本发明公开了一种智能功率模块铝基板及其分板方法、定位装置和空调器,该智能功率模块铝基板的分板方法包括以下步骤:在预先制作好的大铝基板上沿X轴方向设置若干相互平行的X轴切割线以及沿Y轴方向设置若干相互平行的Y轴切割线,且在各X轴切割线和各Y轴切割线的交点处均分别钻一预设通孔内径的通孔;按照预设的V_cut切割规则,沿各X轴切割线和各Y轴切割线对大铝基板进行V_cut切割,以将大铝基板切割成若干块预设尺寸的且四角均保留四分之一通孔的智能功率模块铝基板,将各四分之一通孔作为智能功率模块铝基板的印刷定位孔。本发明能够提高智能功率模块的生产效率和提高智能功率模块的使用寿命。
技术领域
本发明涉及制造领域,尤其涉及一种智能功率模块铝基板及其分板方法、定位装置和空调器。
背景技术
智能功率模块,即IPM(Intelligent Power Module),是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品。智能功率模块把功率开关器件和高压驱动电路集成在一起,并内藏有过电压、过电流和过热等故障检测电路。对于特定用途的智能功率模块,还会集成MCU,MCU发出控制信号,使智能功率模块的功率元件驱动后续电路工作,另一方面将系统的状态检测信号送回给MCU。与传统分立的方案相比,智能功率模块以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场,尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源,是变频调速,冶金机械,电力牵引,伺服驱动,变频家电的一种理想电力电子器件。集成性较高的智能功率模块一般是采用IMS(金属绝缘体,一般使用铝基板结构)架构,因为这种架构的布线灵活,设计制造周期短,能够适用于复杂的布线结构,因而有利于智能功率模块的高集成化设计。
然而,传统的智能功率模块铝基板的分板方法通常是采用冲压分板法、V_cut切割分板法或镙板分板法,但该三种分板方法都有相应的优缺点。具体地,镙板分板法的优点是分板尺寸一致性好;镙板分板法的缺陷是生产效率低,耗材消耗大,只能用于实验,难以实现大批量生产。冲压分板法一般适用于对较大铝基板的分板,其优点是分板尺寸一致性好,可用铝基板外围尺寸可在后续智能功率模块封装中起定位作用,从而实现引脚、晶元及电子元器件的一次性焊接,简化了智能功率模块的加工,提高了生产效率;冲压分板法的缺陷是对铝基板中间的绝缘层存在破坏性风险,而绝缘层破坏将会影响智能功率模块长期使用的可靠性。V_cut切割分板法的优点是不存在对铝基板中间的绝缘层造成破坏性的风险;V_cut分板法的缺陷是分板容易产生毛刺,且铝基板外围尺寸很难在后续智能功率模块的封装中起定位作用,从而增加了智能功率模块的加工复杂性,导致能功率模块的生产效率较低。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种智能功率模块铝基板的分板方法,旨在提高智能功率模块的生产效率和提高智能功率模块的使用寿命。
为了实现上述目的,本发明提供一种智能功率模块铝基板的分板方法,所述智能功率模块铝基板的分板方法包括以下步骤:
S10,在预先制作好的大铝基板上沿X轴方向设置若干相互平行的X轴切割线以及沿Y轴方向设置若干相互平行的Y轴切割线,且在各所述X轴切割线和各所述Y轴切割线的交点处均分别钻一预设通孔内径的通孔;
S20,按照预设的V_cut切割规则,沿各所述X轴切割线和各所述Y轴切割线对所述大铝基板进行V_cut切割,以将所述大铝基板切割成若干块预设尺寸的且四角均保留四分之一所述通孔的智能功率模块铝基板,将各四分之一所述通孔作为所述智能功率模块铝基板的印刷定位孔。
优选地,所述步骤S20包括:
S21,按照预设切割顺序,采用V_cut切割装置中的上切刀和下切刀分别沿各所述X轴切割线和各所述Y轴切割线对所述大铝基板进行V_cut切割,每进行一次V_cut切割时均在相应的所述X轴切割线或相应的所述Y轴切割线位置保留一预设厚度的切割残厚;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司,未经广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711430464.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造