[发明专利]成膜装置、成膜方法以及隔热构件有效
申请号: | 201711431130.0 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN108239766B | 公开(公告)日: | 2022-01-07 |
发明(设计)人: | 高木聪;小森克彦;冈田充弘;渡边将久;高桥和也;矢野一纪;藤田圭介 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/458;H01L21/67;H01L21/687;H01L21/205 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 方法 以及 隔热 构件 | ||
1.一种成膜装置,在纵型的反应容器内以在基板保持器具上棚架状地保持有多个被处理基板的状态利用加热部进行加热,从而对所述被处理基板进行成膜处理,该成膜装置的特征在于,具备:
排气部,其进行排气以将所述反应容器内设为真空环境;
气体供给部,其用于向被设为真空环境的所述反应容器内供给成膜气体;以及
第一隔热构件,其在所述基板保持器具中被设置为在比所述多个被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处且与该配置区域重叠,用于在所述反应容器内对所述配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对所述配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热,
其中,所述第一隔热构件具有贯通孔,该贯通孔在该第一隔热构件中被设置在与该被处理基板的中心部重叠的位置,以对被保持在所述第一隔热构件的附近的所述被处理基板的面内的温度分布进行调整,
其中,所述第一隔热构件构成为环状。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于,
在所述基板保持器具中,在所述被处理基板的配置区域与所述第一隔热构件之间设置有未设置所述贯通孔的第二隔热构件,该第二隔热构件用于对该配置区域与所述上方区域进行隔热或者将该配置区域与所述下方区域进行隔热。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置,其特征在于,
所述第一隔热构件被设置在所述被处理基板的配置区域的下方,
所述气体供给部向所述反应容器内比所述配置区域靠下方的位置供给所述成膜气体。
4.一种使用了成膜装置的成膜方法,该成膜装置在纵型的反应容器内以在基板保持器具上棚架状地保持有多个被处理基板的状态利用加热部进行加热,从而对所述被处理基板进行成膜处理,该成膜方法的特征在于,包括以下工序:
利用排气部进行排气以将所述反应容器内设为真空环境;
利用气体供给部向被设为真空环境的所述反应容器内供给成膜气体;以及
利用在所述基板保持器具中被设置为在比所述多个被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处与该配置区域重叠的隔热构件,在所述反应容器内对所述配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对所述配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热,
其中,所述隔热构件具备贯通孔,该贯通孔在该隔热构件中被设置在与该被处理基板的中心部重叠的位置,以对被保持在该隔热构件的附近的所述被处理基板的面内的温度分布进行调整,所述隔热构件构成为环状。
5.一种用于成膜装置的隔热构件,该成膜装置在纵型的反应容器内以在基板保持器具上棚架状地保持有多个被处理基板的状态利用加热部进行加热,从而对所述被处理基板进行成膜处理,该隔热构件的特征在于,
该隔热构件在所述基板保持器具中被设置为在比所述多个被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处且与该配置区域重叠,用于在所述反应容器内对所述配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对所述配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热,
该隔热构件具备贯通孔,该贯通孔被设置在与所述被处理基板的中心部重叠的位置,以对被保持在该隔热构件的附近的所述被处理基板的面内的温度分布进行调整,所述隔热构件构成为环状。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的