[发明专利]具有辅助电极的显示装置有效

专利信息
申请号: 201711431260.4 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN108257973B 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 崔浩源;金惠淑 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/15
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 陈炜;马晓虹
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 辅助 电极 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

具有第一开口的第一基部绝缘层;

辅助电极,包括:

沿第一方向延伸的第一部分,以及

沿与所述第一方向相交的第二方向延伸的第二部分,所述第二部分在所述第一基部绝缘层中的第一开口的侧表面上;

在所述第一基部绝缘层上的下绝缘层,所述下绝缘层具有与所述第一开口交叠的下贯穿孔;

在所述下绝缘层上的第一上绝缘层,所述第一上绝缘层包括沿所述第一方向延伸的突起区域;以及

包括上电极的发光结构,所述上电极的至少一部分接触所述辅助电极的第二部分,

其中,所述第一上绝缘层的突起区域设置在所述辅助电极的第二部分的上方并且在所述辅助电极的第一部分的一部分的上方,以使得底切区域设置在所述辅助电极的第一部分的一部分与所述第一上绝缘层的突起区域之间。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述辅助电极包括在所述第一方向上延伸且设置在所述下绝缘层与所述第一基部绝缘层之间的第三部分。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述辅助电极包括在所述第一基部绝缘层中的所述第一开口的另一侧表面上沿所述第二方向延伸的第三部分。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述发光结构包括与所述辅助电极的第三部分接触的发光层。

5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在所述第二方向上、在所述辅助电极的第一部分与所述第一上绝缘层之间的垂直距离大于所述第一基部绝缘层的厚度。

6.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:

缓冲层;以及

所述缓冲层上的薄膜晶体管TFT,所述TFT电连接至所述发光结构,

其中,所述第一基部绝缘层与所述缓冲层处于同一层中,并且其中,所述辅助电极的第一部分接触在其上形成有所述缓冲层的基板。

7.根据权利要求6所述的显示装置,还包括:

所述第一基部绝缘层与所述下绝缘层之间的第二基部绝缘层,所述第二基部绝缘层具有第二开口,

其中,所述辅助电极包括在所述第二基部绝缘层中的所述第二开口的侧表面上沿所述第二方向延伸的第三部分。

8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述上电极接触所述辅助电极的第三部分。

9.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述TFT包括漏电极、半导体层以及在所述漏电极与所述半导体层之间的层间绝缘层,并且所述第二基部绝缘层与所述TFT的层间绝缘层处于同一层中。

10.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述TFT包括栅极绝缘层,并且所述第二基部绝缘层与所述TFT的栅极绝缘层处于同一层中。

11.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:

缓冲层;以及

所述缓冲层上的薄膜晶体管TFT,所述TFT电连接至所述发光结构,

其中,所述第一基部绝缘层在所述缓冲层上,并且其中,所述辅助电极的第一部分接触所述缓冲层。

12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述TFT包括漏电极、半导体层以及在所述漏电极与所述半导体层之间的层间绝缘层,并且所述第一基部绝缘层与所述TFT的层间绝缘层处于同一层中。

13.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述TFT包括栅极绝缘层,并且所述第一基部绝缘层与所述栅极绝缘层处于同一层中。

14.根据权利要求13所述的显示装置,还包括:

所述第一基部绝缘层上的第二基部绝缘层,所述第二基部绝缘层具有第二开口,

其中,所述辅助电极包括在所述第二基部绝缘层中的所述第二开口的侧表面上沿所述第二方向延伸的第三部分。

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