[发明专利]一种薄膜及其制备方法与QLED器件

权利要求书

1.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点，其中所述高分子材料包括至少一种阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10万；

所述量子点为核壳量子点；

所述薄膜为QLED器件中量子点发光层；

所述阻隔高分子材料的载流子迁移率在10^-8cm²V^-1s^-1以上。

2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述量子点为油溶性量子点或水溶性量子点。

3.根据权利要求2所述的薄膜，其特征在于，所述量子点为油溶性量子点，所述油溶性量子点的表面配体为硫醇或羧酸。

4.根据权利要求2或3所述的薄膜，其特征在于，所述量子点选自II-VI族量子点、III-V族量子点和IV-VI族量子点中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的薄膜，其特征在于，所述量子点选自II-VI族量子点。

6.根据权利要求5所述的薄膜，其特征在于，所述量子点选自含Te的II-VI族量子点。

7.根据权利要求6所述的薄膜，其特征在于，所述量子点选自含Cd和Te的II-VI族量子点。

8.根据权利要求7所述的薄膜，其特征在于，所述量子点选自以CdTe或CdTeS为核的核壳量子点。

9.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于20万。

10.根据权利要求9所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于30万。

11.根据权利要求10所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于50万。

12.根据权利要求1、2、3、5、6、7、8、9、10、11任一项所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料选自PVK及其衍生物、TFB及其衍生物、poly-TPD及其衍生物和MEH-PPV及其衍生物中的一种或多种。

13.根据权利要求12所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜由量子点和一种阻隔高分子材料组成，所述量子点占薄膜的质量分数为0.5-90％。

14.根据权利要求13所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的重均分子量在10-30万之间，所述量子点占薄膜的质量分数为0.5-30％。

15.根据权利要求13所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的重均分子量在30-50万之间，所述量子点占薄膜的质量分数为0.5-66％。

16.根据权利要求13所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的重均分子量在50-150万之间，所述量子点占薄膜的质量分数为0.5-90％。

17.根据权利要求14-16任一项所述的薄膜，其特征在于，所述量子点占薄膜的质量分数为0.5-20％。

18.根据权利要求17所述的薄膜，其特征在于，所述量子点占薄膜的质量分数为2-10％。

19.根据权利要求14-16任一项所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的载流子迁移率在10^-6cm²V^-1s^-1以上。