[发明专利]SiC晶圆在线加工方法

说明书

本发明涉及一种SiC晶圆在线加工方法，包括如下步骤：获取SiC晶圆，所述SiC晶圆包括正面和相对正面设置的背面；在所述SiC晶圆的背面淀积非透光物质，得到非透光的SiC晶圆；对所述非透光的SiC晶圆的正面进行在线加工处理，得到加工后的SiC晶圆。上述方法通过在SiC晶圆片的背面淀积一层非光物质，能够使SiC晶圆不再透光，保证具有光线传感器的设备可以识别SiC晶圆及其定位边，并且一次淀积就能够保证SiC晶圆片满足后续所有加工工序的需求，有效地提高了SiC晶圆的加工效率。

技术领域

本发明涉及半导体器件制备技术领域，特别是涉及一种SiC晶圆在线加工方法。

背景技术

随着半导体技术的飞速发展，晶圆片作为半导体器件的基本材料，市场需求量越来越大。半导体器件的应用也越来越广泛，一般的Si晶圆制作的半导体器件满足不了某些特定环境的需求。SiC材料的能带和高温稳定性使得它在高温半导体元件方面有无可比拟的优势，因此，SiC晶圆得到了工业化的生产。然而，在SiC晶圆的制造过程中，由于SiC晶圆的透明性，造成具有光线传感器的设备无法识别晶圆及其定位边。

为了使设备能够在在制造过程中识别到晶圆及其定位边，传统的方法是在SiC晶圆背面贴蓝膜及铝箔带，这种方法只能用于单步加工工艺，在整个工艺过程中需多次贴、撕、清洗，因此，传统制备工艺中，SiC晶圆加工效率低。

发明内容

基于此，有必要针对SiC晶圆加工效率低的问题，提供一种SiC晶圆在产线加工方法。

一种SiC晶圆在线加工方法，包括如下步骤：获取SiC晶圆，所述SiC晶圆包括正面和相对正面设置的背面；在所述SiC晶圆背面淀积非透光物质，得到非透光的SiC晶圆；对所述非透光的SiC晶圆的正面进行在线加工处理，得到加工后的SiC晶圆。

在一个实施例中，所述非透光物质为硅。

在一个实施例中，所述硅的厚度为2000nm-6000nm。

在一个实施例中，所述硅为多晶硅或非晶硅。

在一个实施例中，所述在所述SiC晶圆的背面淀积非透光物质，包括：采用改良的西门子法、辉光放电气相淀积法或PECVD的方法，在所述SiC晶圆的背面淀积硅。

在一个实施例中，所述采用PECVD的方法，在所述SiC晶圆的背面淀积硅，包括以下步骤：将所述SiC晶圆置于设备中，在所述设备中通入SiH4气体；对所述SiH4气体进行电离反应，在所述SiC晶圆的背面淀积生成硅。

在一个实施例中，所述对所述非透光的SiC晶圆的正面进行在线加工处理，得到加工后的SiC晶圆的步骤之后，还包括：去除所述加工后的SiC晶圆的背面淀积的非透光物质。

在一个实施例中，所述去除所述加工后的SiC晶圆的背面淀积的非透光物质，包括：采用干法刻蚀或湿法刻蚀的方法，去除所述加工后的SiC晶圆的背面淀积的非透光物质。

在一个实施例中，所述采用干法刻蚀的方法，去除所述加工后的SiC晶圆的背面淀积的非透光物质的步骤，包括：将所述加工后的SiC晶圆置于刻蚀机内；在所述刻蚀机内通入反应气体对所述加工后的SiC晶圆的背面进行刻蚀，去除所述非透光物质。

在一个实施例中，所述反应气体为氯气或氯气与溴化氢混合气体。

上述方法，通过在SiC晶圆片的背面淀积一层非光物质，能够使SiC晶圆不再透光，保证具有光线传感器的设备可以识别SiC晶圆及其定位边，并且一次淀积就能够保证SiC晶圆片满足后续所有加工工序的需求，有效地提高了SiC晶圆的加工效率。

附图说明

图1为一实施例SiC晶圆在线加工方法的流程图；

图2为另一实施例SiC晶圆在线加工方法的流程图；