[发明专利]离子植入方法及离子植入设备

权利要求书

1.一种离子植入方法，其特征在于，包括：

发射离子束，所述离子束覆盖的范围形成离子植入区；

所述离子植入区内具有第一晶圆进行离子植入，所述离子植入区外具有第二晶圆作为待处理晶圆；

当所述第一晶圆完成离子植入后，控制所述第一晶圆离开离子植入区的过程中，控制所述第二晶圆进入离子植入区作为第一晶圆进行离子植入。

2.如权利要求1所述的离子植入方法，其特征在于，控制所述第一晶圆离开离子植入区的过程包括：提供晶圆传送装置，利用所述晶圆传送装置固定所述第一晶圆，控制所述晶圆传送装置运行至所述离子植入区外。

3.如权利要求1所述的离子植入方法，其特征在于，控制所述第二晶圆进入离子植入区的过程包括：提供晶圆传送装置，利用所述晶圆传送装置固定所述第二晶圆，控制所述晶圆传送装置运行至所述离子植入区内。

4.如权利要求2所述的离子植入方法，其特征在于，在所述晶圆传送装置运行至所述离子植入区外后，控制所述晶圆传送装置卸下晶圆，以待固定位于所述离子植入区外的第二晶圆，并控制所述晶圆传送装置运行至所述离子植入区内。

5.一种离子植入设备，包括：

壳体，围成工艺腔，所述工艺腔包括离子植入区和晶圆载卸区；

离子源，适于发射离子束至所述离子植入区内；

其特征在于，还包括：

至少两个晶圆传送装置，均设置在所述工艺腔内，所述晶圆传送装置适于在所述晶圆载卸区和离子植入区之间运动，以传送晶圆。

6.如权利要求5所述的离子植入设备，其特征在于，多个晶圆传送装置沿离子束的发射方向依次设置，且所述晶圆传送装置适于沿垂直于离子束的发射方向进入离子植入区或进入晶圆载卸区。

7.如权利要求5所述的离子植入设备，其特征在于，至多一个所述晶圆传送装置位于所述离子植入区内。

8.如权利要求5所述的离子植入设备，其特征在于，所述晶圆传送装置包括第一传送装置和第二传送装置，所述离子植入设备还包括：控制器，

所述控制器适于控制所述第一传送装置离开所述离子植入区的过程中，控制所述第二传送装置进入所述离子植入区；

所述控制器适于控制所述第二传送装置离开所述离子植入区的过程中，控制所述第一传送装置进入所述离子植入区。

9.如权利要求5－8任一项所述的离子植入设备，其特征在于，所述晶圆传送装置包括：

承载盘，适于固定晶圆；

传动部，连接所述承载盘，适于带动所述承载盘在所述晶圆载卸区和离子植入区之间运动；

所述传动部适于自转以改变所述离子束相对所述承载盘的入射角度。

10.如权利要求9所述的离子植入设备，其特征在于，所述晶圆传送装置还包括：旋转部，所述承载盘固定设置于所述旋转部，所述旋转部可旋转的设置于所述传动部；其中，所述旋转部的旋转轴垂直于所述传动部的自转轴。