[发明专利]一种半导体的制作工艺

说明书

本发明公开了一种半导体的制作工艺，包括如下步骤：S1、洁净室：将所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，然后在密闭空间上开设进风窗和出风窗，并且进风窗表面装有过滤网，然后分别在进风窗和出风窗一端安装大型风扇，风扇运作可将密闭空间外的空气通过进风窗吸入密闭空间内，同时过滤网能防止粉尘的进入，然后密闭空间内的空气和灰尘在风扇的作用下也会从出风窗排出，从而可保证空间内的无尘性，同时也要保证粉尘的只出不进，并且也需要加装大型空调设备。与其它制作工艺技术相比，技术价格低廉、节约空间、工艺成熟，藉以改变蚀刻工艺，从而可保证蚀刻的完全性和均匀性，大大提高半导体的使用质量。

技术领域

本发明涉及计算机电路制作工艺，更具体地说，尤其涉及一种半导体的制作工艺。

背景技术

半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

但是，半导体制作时对于环境的要求较为严苛，如果微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可能影响到其上精密导线布局的样式，造成电性短路或断路的严重后果，但是传统的半导体制作工艺等级无法达到制作标准，对于半导体制作的保护还不是很到位，并且在蚀刻过程中，气泡形成及化学蚀刻液无法完全与晶圆表面接触，会造成不完全及不均匀的蚀刻，为此，我们提出一种半导体的制作工艺。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种半导体的制作工艺，减少产品报废率的更高效的半导体制作工艺以及蚀刻完全的操作方法。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体的制作工艺，包括如下步骤：

S1、洁净室：将所有半导体制程设备，都必须安置在隔绝粉尘进入的密闭空间中，然后在密闭空间上开设进风窗和出风窗，并且进风窗表面装有过滤网，然后分别在进风窗和出风窗一端安装大型风扇，风扇运作可将密闭空间外的空气通过进风窗吸入密闭空间内，同时过滤网能防止粉尘的进入，然后密闭空间内的空气和灰尘在风扇的作用下也会从出风窗排出，从而可保证空间内的无尘性，同时也要保证粉尘的只出不进，并且也需要加装大型空调设备，以保证密闭空间内的温度与湿度的恒定；

S2、制片：将晶棒固定在工作台上，用打磨机对其进行加工修边，然后以X光绕射法，定出主切面的所在，在用打磨机磨出该平面，然后再以内刃环锯削下一片片的硅晶圆，然后将硅晶圆固定在工作台上，用高速旋转的砂轮对硅晶圆经过打磨，然后再用抛光机对打磨后的硅晶圆进行拋光处理，最后得出表面粗糙度在0.3微米以下拋光面之晶圆；

S3、清洗：将磁力搅拌器的清洗槽内倒入EKC溶液和水，再将晶圆放置在清洗槽内，再打开磁力搅拌器，可去除晶圆表面的化合物，然后再用异丙醇去除残留在晶圆表面的EKC溶液，清洗结束后废液会从清洗槽一侧的水管流入回收箱内，最后再用烘干机对晶圆进行干燥；

S4、曝光：将适量光阻滴上晶圆中心，而晶圆是置于光阻涂布机工作台的真空吸盘上，转盘以每分钟数干转之转速，旋转30-60秒，使光阻均匀涂布在晶圆上，转速与旋转时间，依所需光阻厚度而定，同时晶圆位于紫外灯下方，紫外光通过光罩照射于光阻上，而在光照及阴影处产生相对应的图形，而受光照射的地方，光阻的溶解率产生变化，故晶圆曝照于紫外光中，会使得光阻的溶解率改变；

S5、显影：将曝光后的晶圆放置在磁力搅拌器的清洗槽内，然后倒入显影剂，同时打开磁力搅拌器，磁力搅拌器会使清洗槽内的溶液产生搅拌，从而对晶圆的表面进行清洗，将光阻高溶解率的部分进行清除，清洗结束后，将废液从清洗槽的一侧排入回收箱内，最后再用烘干机对晶圆进行干燥；