[发明专利]一种薄膜及其制备方法与QLED器件

权利要求书

1.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜包括高分子材料和分散在所述高分子材料中的量子点，其中所述高分子材料包括至少一种阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10万，所述高分子材料还包括至少一种电荷传输调节高分子材料，所述电荷传输调节高分子材料的重均分子量低于10万。

2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述电荷传输调节高分子材料占高分子材料的质量分数低于10%。

3.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述高分子材料由一种阻隔高分子材料和一种电荷传输调节高分子材料组成。

4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜，其特征在于，所述量子点占薄膜的质量分数为0.5-20%。

5.根据权利要求4所述的薄膜，其特征在于，所述量子点占薄膜的质量分数为2-10%。

6.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料选自PVK及其衍生物、TFB及其衍生物、poly-TPD及其衍生物和MEH-PPV及其衍生物中的一种或多种。

7.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜，其特征在于，所述量子点选自CdTe、CdTeS及以CdTe或CdTeS为核的核壳量子点中的一种。

8.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的载流子迁移率在10^-6 cm²V^-1s^-1以下，所述电荷传输调节高分子材料选自导电高分子，所述电荷传输调节高分子材料占高分子材料的质量分数为0.5-5%。

9.根据权利要求8所述的薄膜，其特征在于，所述导电高分子选自聚乙炔、聚苯硫醚、聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩中的一种。

10.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜，其特征在于，所述阻隔高分子材料的载流子迁移率在10^-6 cm²V^-1s^-1以上，所述电荷传输调节高分子材料选自非导电高分子，所述电荷传输调节高分子材料占高分子材料的质量分数为5-10%。

11.根据权利要求10所述的薄膜，其特征在于，所述非导电高分子选自酚醛树脂、聚乙烯、聚二甲基硅氧烷、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯和聚碳酸酯中的一种。

12.一种薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

将量子点和高分子材料混合在分散介质中；

将混合后的溶液制成薄膜，得到所述薄膜；

其中所述高分子材料包括至少一种阻隔高分子材料，所述阻隔高分子材料的重均分子量高于10万，所述高分子材料还包括至少一种电荷传输调节高分子材料，所述电荷传输调节高分子材料的重均分子量低于10万。

13.根据权利要求12所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述高分子材料由一种阻隔高分子材料和一种电荷传输调节高分子材料组成，所述电荷传输调节高分子材料占高分子材料的质量分数低于10%。

14.根据权利要求12所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述量子点为油溶性量子点，所述油溶性量子点的表面配体为硫醇或羧酸。

15.根据权利要求12所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述量子点选自CdTe、CdTeS及以CdTe或CdTeS为核的核壳量子点中的一种。

16.根据权利要求12所述的薄膜的制备方法，其特征在于，所述薄膜中，所述量子点的质量分数为0.5-20%。