[发明专利]一种高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法

权利要求书

1.一种高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，其特征在于，包括步骤：

(1)采用磁控溅射的方法在烧结钕铁硼磁体样品表面沉积重稀土薄膜；

(2)经离子束辅助真空热扩散处理工艺，最后经回火处理得到所述高矫顽力钕铁硼磁体；所述离子束辅助真空热扩散处理工艺具体为：对步骤(1)沉积有重稀土薄膜的烧结钕铁硼磁体样品进行热扩散处理，同时施加离子束轰击所述烧结钕铁硼磁体样品辅助重稀土薄膜扩散渗透；

所述重稀土薄膜中的元素组成包括重稀土元素和非重稀土元素；所述非重稀土元素选自Ti、Cr、Mn、Co、Ga、Cu、Si、Al、Zr、Nb、W、Mo、Ag、Mg中至少一种；

所述热扩散处理工艺的温度为600～700℃，时间为6～12h。

2.根据权利要求1所述的高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，其特征在于，所述离子束辅助真空热处理过程的真空度为5×10^-2～1Pa，离子源为霍尔离子源或线性阳极层离子源，离子束的能量为100～1000eV 。

3.根据权利要求1或2所述的高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，其特征在于，步骤(1)前，先将烧结钕铁硼磁体样品进行预处理和离子活化处理。

4.根据权利要求3所述的高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，其特征在于，所述预处理包括除油、酸洗、酒精超声和吹干。

5.根据权利要求3所述的高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，其特征在于，所述离子活化处理工艺，具体为：

将预处理后的烧结钕铁硼磁体样品放入磁控溅射真空室内，抽真空至5×10^-4～5×10^-3Pa，再充入高纯Ar将真空室真空度调节为0.2～0.6Pa，采用离子源将高纯Ar电离为Ar⁺，在烧结钕铁硼磁体样品上施加负偏压吸引高能Ar⁺轰击样品表面进行活化处理；

所述离子源工作参数：阳极电压100～200V，阳极电流0.5～1.5A，负偏压200～400V，活化时间20～40min。

6.根据权利要求1所述的高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述磁控溅射的工作气压为0.1～5Pa，靶材功率密度为1～7W/cm²。

7.根据权利要求1所述的高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，其特征在于，步骤(1)中，沉积得到重稀土薄膜的厚度为0.2～12μm连续可调；

所述重稀土元素选自Tb和/或Dy。

8.根据权利要求1所述的高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述施加离子束轰击，可以是整个热扩散处理阶段，或者是热扩散处理的部分阶段。

9.根据权利要求1所述的高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述热扩散处理工艺的温度为650～700℃，时间为6～10h；离子束的能量为400～600eV。

10.根据权利要求1所述的高矫顽力钕铁硼磁体的低温制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述回火处理的温度为300～600℃。