[发明专利]一种COB固晶方法有效
申请号: | 201711435686.7 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN108091750B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 莫宜颖;王芝烨;黄巍;王跃飞 | 申请(专利权)人: | 鸿利智汇集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司 44254 | 代理人: | 李肇伟 |
地址: | 510890 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cob 方法 | ||
一种COB固晶方法,包括以下步骤:(1)制造带有线路的基板,所述线路包括芯片焊盘、电极焊盘和连接芯片焊盘与电极焊盘的导线;(2)在芯片焊盘上形成一层锡膏;(3)将形成有第一层锡膏的基板过回流焊;(4)在芯片焊盘处点锡膏并进行焊接固晶。本发明在点锡固晶步骤前,先在芯片焊盘上刷一层锡膏,该第一层锡膏通过回流焊与芯片焊盘结合,最后再点锡膏焊接固晶,两次的锡膏相互融合,减少焊接的空洞率。
技术领域
本发明涉及LED领域,尤其是一种COB固晶方法。
背景技术
传统的倒装固晶作业工艺一般有:1.使用钢网印刷锡膏,通过钢网的开孔大小决定锡膏的量,然后固晶,再共晶。这类固晶作业工艺,由于传统的倒装芯片体积小,从而利用钢网印刷锡膏时,很难控制锡膏的量,同时在印刷锡膏的过程中,网孔容易堵塞,造成锡量不均,且锡膏耗费过大。设备工作台上锡膏堆积造成助焊剂含量不均匀,过炉共晶后容易出现空洞率多大,出现虚焊现象。2.使用自动固晶机一次上锡,然后固晶,再高温共晶工艺。这类固晶作业工艺,通常在焊盘边缘位置锡膏融合不到,存在局部的真空,空洞过大,造成局部温度过高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种COB固晶方法,能够减少焊接的空洞率。
为解决上述技术问题,本发明的技术方案是:一种COB固晶方法,包括以下步骤:
(1)制造带有线路的基板,所述线路包括芯片焊盘、电极焊盘和连接芯片焊盘与电极焊盘的导线;
(2)在芯片焊盘上形成一层锡膏;
(3)将形成有第一层锡膏的基板过回流焊;
(4)在芯片焊盘处点锡膏并进行焊接固晶。
本发明在点锡固晶步骤前,先在芯片焊盘上形成一层锡膏,该第一层锡膏通过回流焊与芯片焊盘结合,最后再点锡膏焊接固晶,两次的锡膏相互融合,减少焊接的空洞率。
作为改进,所述步骤(2)中,对基板上的线路整体刷一层锡膏或在芯片焊盘上使用匹配芯片大小的多点点胶头点一层锡膏实现每个芯片焊盘覆盖第一层锡膏。
作为改进,所述芯片焊盘的外围设有围绕芯片焊盘而设的围堰。
作为改进,所述围堰通过刷一层油墨形成。
作为改进,先制作围堰再实施步骤(4)。
作为改进,所述芯片焊盘包括芯片正极焊盘和芯片负极焊盘,芯片正极焊盘与芯片负极焊盘之间的隔离带上设有隔墙。
作为改进,隔墙高度不高于焊盘,且通过刷一层油墨形成。
作为改进,所述芯片焊盘包括供第一芯片焊接的第一芯片焊盘和供第二芯片焊接的第二芯片焊盘,第一芯片的发光面积大于第二芯片。
作为改进,所述基板的固晶区域分包括左右对称的第一区域和第二区域,第一区域内包括若干行芯片组,由第一芯片组成第一芯片组,由第二芯片组成第二芯片组,第一芯片组与第二芯片组呈间隔设置,第二区域内的芯片布置与第一区域内的芯片布置对称。
作为改进,所述导线包括第一导线和第二导线,第一导线从固晶区域的一侧先经过第一区域将第一芯片组串联,然后从固晶区域的另一侧进入第二区域将第一芯片组串联;第二导线从固晶区域的一侧中间进入同时连接第一区域和第二区域内的第二芯片组,最后从固晶区域的另一侧引出。
本发明与现有技术相比所带来的有益效果是:
本发明在点锡固晶步骤前,先在芯片焊盘上点一层锡膏,该第一层锡膏通过回流焊与芯片焊盘结合,最后再点锡膏焊接固晶,两次的锡膏相互融合,降低焊接的空洞率。在焊盘的外围设有围堰,可以防止锡膏外流,降低空洞率。
附图说明
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