[发明专利]基板及其处理方法、装置、系统及控制装置、制造方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，

在该基板处理方法中，通过使硝酸、比所述硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与在包含硅系膜的膜上形成有硼单膜的基板接触，来将所述硼单膜从所述基板去除。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在将所述硼单膜去除的处理中，

在向所述基板上供给所述去除液之前，通过将所述被水稀释的强酸和所述被水稀释的硝酸以具有向所述基板供给的流速的状态相互混合，来生成所述去除液。

3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在将所述硼单膜去除的处理中，

通过将被所述水稀释的强酸和被所述水稀释的硝酸在所述基板上混合，来生成所述去除液。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在将所述硼单膜去除的处理中，

在所述基板上形成所述去除液的液膜，

在形成所述液膜之后，将在所述基板上形成有所述去除液的液膜的状态维持规定时间。

5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，

在将在所述基板上形成有所述去除液的液膜的状态维持规定时间的处理中，在形成所述液膜之后，使所述去除液在所述基板上停留规定时间。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在将所述硼单膜去除的处理中，

在所述基板上形成所述去除液的液膜，

在形成所述液膜之后，在使在与所述基板相向的一侧具有平面的盖体与所述液膜接触的状态下，对所述去除液进行加热。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在将所述硼单膜去除的处理中，

在盘状的载置部储存所述去除液，该盘状的载置部具有朝向下方逐渐缩径的内周面且在所述内周面与所述基板的斜面部接触，

在通过将所述基板载置于所述载置部来使所述基板与储存于所述载置部的所述去除液接触的状态下，对所述去除液进行加热。

8.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在将所述硼单膜去除的处理中，将所述去除液贮存于处理槽，

使所述基板浸渍于在所述处理槽贮存的所述去除液。

9.根据权利要求1～8中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在具有包含所述硅系膜的膜的基板形成所述硼单膜，

通过使所述去除液与形成膜后的所述基板的背面和斜面部接触，来从所述基板的背面和斜面部去除所述硼单膜，

对去除后的所述基板的表面进行蚀刻，

将所述硼单膜去除的处理是针对蚀刻后的所述基板进行的。

10.根据权利要求1～9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述去除液中的所述强酸为硫酸，所述硫酸的浓度为64wt％以下，所述去除液中的所述硝酸的浓度为3wt％以上且69wt％以下。

11.根据权利要求1～9中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述去除液中的所述强酸为硫酸，所述硫酸的浓度为50wt％以下，所述去除液中的所述硝酸的浓度为3wt％以上且69wt％以下。

12.一种基板处理装置，其特征在于，

具备处理单元，该处理单元保持在包含氧化硅膜的膜上形成有硼单膜的基板，

该处理单元通过使将硝酸、比所述硝酸强的强酸以及水混合所得到的去除液与被保持的所述基板接触，来将所述硼单膜从所述基板去除。