[发明专利]一种表面入射剂量计算方法、设备及存储介质有效

专利信息
申请号: 201711436101.3 申请日: 2017-12-26
公开(公告)号: CN108074636B 公开(公告)日: 2021-10-26
发明(设计)人: 高建 申请(专利权)人: 北京纳米维景科技有限公司
主分类号: G16H30/00 分类号: G16H30/00;G06F17/17
代理公司: 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 代理人: 陈曦;陈丽
地址: 100094 北京市海淀区北清*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 表面 入射 剂量 计算方法 设备 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种表面入射剂量计算方法,其特征在于包括如下步骤:

设置高压发生器的千伏值和毫安秒值,改变千伏值,获取距离球管焦点不同位置的入射剂量;其包括以下子步骤:

S111,获取高压发生器的千伏值的千伏最大值和千伏最小值,在千伏最大值和千伏最小值之间选取N个千伏值,设为kVj,j=1,2……N;

S112,设置高压发生器的毫安秒值为基准值R1;

S113,根据患者支撑面到球管焦点的距离,确定N个距离等分点,距离球管焦点的位置分别为FIDi,i=1,2……N,N为正整数;

S114,设置高压发生器的千伏值kVj,逐个获取距离球管焦点不同位置FIDi的入射剂量;

S115,重复步骤S114,使j分别取值1,2……N,获取每个千伏值下,距离球管焦点不同位置的入射剂量;

根据N个距离球管焦点不同位置的入射剂量,得到N条距离球管焦点位置与入射剂量的第一拟合曲线;其中,N为正整数;

假设高压发生器的毫安秒值固定,确定任意千伏值时的拟合系数,得到距离球管焦点位置与入射剂量的第二拟合曲线;

根据高压发生器的毫安秒值与入射剂量的关系,得到任意千伏值、任意毫安秒值时距离球管焦点位置与入射剂量的第三拟合曲线;

当进行影像检查时,将患者距离球管焦点的位置输入第三拟合曲线,得到最终拟合曲线,以得到X射线的入射剂量。

2.如权利要求1所述的表面入射剂量计算方法,其特征在于根据N个距离球管焦点不同位置的入射剂量,得到N条距离球管焦点位置与入射剂量的第一拟合曲线,包括如下子步骤:

S121,以距离球管焦点的位置为横坐标,各点的入射剂量值为纵坐标,建立坐标系;

S122,高压发生器的千伏值为kVj时,逐个将代表距离球管焦点的位置与入射剂量的点分布在坐标系中;

S123,根据坐标系中的点,进行曲线拟合,得到一条距离球管焦点位置与入射剂量的第一拟合曲线;

S124,重复步骤S122~S123,使j分别取值1,2……N,进行曲线拟合,得到N条距离球管焦点位置与入射剂量的第一拟合曲线。

3.如权利要求1所述的表面入射剂量计算方法,其特征在于假设高压发生器的毫安秒值固定,确定任意千伏值时的拟合系数,包括如下子步骤:

以千伏值为横坐标,拟合系数为纵坐标,建立坐标系;

逐个将代表千伏值与拟合系数的点分布在坐标系中;

根据坐标系中的点,进行曲线拟合,得到拟合系数和千伏值的函数关系,通过千伏值得到拟合系数。

4.如权利要求1所述的表面入射剂量计算方法,其特征在于在计算X射线的入射剂量之前,还包括如下子步骤:

根据应用中高压发生器的毫安秒值与入射剂量的关系误差,对第三拟合曲线进行纠正,得到所述最终拟合曲线。

5.如权利要求4所述的表面入射剂量计算方法,其特征在于根据应用中高压发生器的毫安秒值与入射剂量的关系误差,对第三拟合曲线进行纠正,得到最终拟合曲线,包括如下子步骤:

在固定的一个FID点位置,高压发生器的千伏值设置为kV1,毫安秒值设置为R2;使用剂量仪测量此位置的入射剂量RB;

在固定的该FID点位置,高压发生器的千伏值设置为kV1,毫安秒值设置为R1;使用剂量仪测量此位置的入射剂量RA;

计算在FID点位置,毫安秒值设置为R2时的入射剂量RBS值;RBS=(R2/R1)×RA;

根据剂量仪测量的入射剂量与计算获得的入射剂量,得到参数剂量倍率系数,将该参数剂量倍率系数带入第三拟合曲线,得到最终拟合曲线。

6.如权利要求4所述的表面入射剂量计算方法,其特征在于任意千伏值、任意毫安秒值时距离球管焦点位置与入射剂量的最终拟合曲线采用如下公式表示:

y=(R/R1)×M×f(kV)×x-u

其中,y为入射剂量,R为当前条件下的毫安秒值,R1为毫安秒值的基准值,f(kV)是拟合系数;x是当前位置距离球管焦点的位置;u是函数系数,M是参数剂量倍率系。

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