[发明专利]一种钽酸锂、铌酸锂晶片电阻率测试装置及测试方法有效
申请号: | 201711437931.8 | 申请日: | 2017-12-26 |
公开(公告)号: | CN108051645B | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 张学锋;董学祥;梁斌 | 申请(专利权)人: | 宁夏钜晶源晶体科技有限公司 |
主分类号: | G01R27/02 | 分类号: | G01R27/02 |
代理公司: | 宁夏合天律师事务所 64103 | 代理人: | 周晓梅;孙彦虎 |
地址: | 753000 宁夏回族自治区石嘴山市大*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钽酸锂 铌酸锂 晶片 电阻率 测试 装置 方法 | ||
一种钽酸锂、铌酸锂晶片电阻率测试装置,包括第一透明板、第二透明板、第一柔性环形圈、第二柔性环形圈,第一柔性环形圈设置在第一透明板的内侧侧壁上,第二柔性环形圈设置在第二透明板的内侧侧壁上,还在第一透明板的内部设置第一测试液注入通道和第一排气通道,还在第二透明板的内部设置第二测试液注入通道和第二排气通道,本发明中通过将待测晶片进入电解液的方式引出待测晶片的两极,这种方式对测试后晶片无损伤、无影响,冲洗后仍然可以作为成品使用;通过第一柔性环形圈、第二柔性环形圈限定晶片的测试面积,对晶片表面无划伤、无破坏;通过从电解液中插入电极的方式引出晶片的两极,电阻无损耗,测试精度高。
技术领域
本发明涉及钽酸锂、铌酸锂晶片检测技术领域,尤其涉及一种钽酸锂、铌酸锂晶片电阻率测试装置及测试方法。
背景技术
对于钽酸锂(LiTaO3),铌酸锂(LiNbO3)是介电体,电阻率在107-1016Ω·cm之间,通常电阻率的测试采用在样品两表面引出电极,采用高阻仪测出电阻,利用欧姆电阻公式,方便的计算出电阻率。
对于LT、LN等这样的硬脆材料,制作成为薄片后厚度为0.5mm作用,厚度很薄、脆性很大,导致在薄片上制作电极非常困难,一般采用的方法是在片状规则样品表面镀一层金属导电电极,然后检测电阻,这样测试样品的制作需要镀膜设备,不仅镀膜成本很高,镀膜周期很长,而且镀膜后的薄片不能作为成品使用,只能做废片处理,造成测试成本高,测试周期长的问题,不利于实际生产中测试工作的开展。
发明内容
有必要提出一种采用液体引出测试电极的钽酸锂、铌酸锂晶片电阻率测试装置及测试方法。
还有必要提出一种钽酸锂、铌酸锂晶片电阻率测试方法。
一种钽酸锂、铌酸锂晶片电阻率测试装置,包括第一透明板、第二透明板、第一柔性环形圈、第二柔性环形圈,第一透明板、第二透明板相对设置,第一柔性环形圈设置在第一透明板的内侧侧壁上,第二柔性环形圈设置在第二透明板的内侧侧壁上,第一柔性环形圈与第二柔性环形圈之间间隔用于夹紧待测晶片的距离,第一柔性环形圈、第二柔性环形圈在水平方向内重合设置,以使第一柔性环形圈在待测晶片的左侧端面上包围形成的表面积和第二柔性环形圈在待测晶片的右侧端面上包围形成的表面积相等,还在第一透明板的内部设置第一测试液注入通道和第一排气通道,第一测试液注入通道的入口端与外界连通,第一测试液注入通道的出口端从第一透明板的内侧侧壁穿出,以与第一柔性环形圈包围形成的第一测试区域连通,第一排气通道的入口端与外界连通,第一排气通道的出口端从第一透明板的内侧侧壁穿出,以与第一柔性环形圈包围形成的第一测试区域连通,第一测试液注入通道的出口端的高度靠近第一柔性环形圈的底部,第一排气通道的出口端的高度靠近第一柔性环形圈的顶部,还在第二透明板的内部设置第二测试液注入通道和第二排气通道,第二测试液注入通道的入口端与外界连通,第二测试液注入通道的出口端从第二透明板的内侧侧壁穿出,以与第二柔性环形圈包围形成的第二测试区域连通,第二排气通道的入口端与外界连通,第二排气通道的出口端从第二透明板的内侧侧壁穿出,以与第二柔性环形圈包围形成的第二测试区域连通,第二测试液注入通道的出口端的高度靠近第二柔性环形圈的底部,第二排气通道的出口端的高度靠近第二柔性环形圈的顶部,第一测试区域和第二测试区域用于填充测试用电解液。
优选的,第一测试液注入通道为倾斜设置的通道,避免测试液进入时气泡的产生。
优选的,在第一透明板和第二透明板的边缘处设置锁紧螺钉,以通过锁紧螺钉将第一透明板和第二透明板之间相对固定。
优选的,第一柔性环形圈与第一透明板之间采用粘接连接,第二柔性环形圈与第二透明板采用粘接连接。
优选的,所述第一透明板、第二透明板均为有机玻璃板。
优选的,第一柔性环形圈和第二柔性环形圈为O型橡胶密封圈。
一种钽酸锂、铌酸锂晶片电阻率的测试方法,包括以下步骤:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁夏钜晶源晶体科技有限公司,未经宁夏钜晶源晶体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711437931.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。