[发明专利]兼容真空环境的图形转移的方法及系统

权利要求书

1.一种兼容真空环境的图形转移的方法，其特征在于包括如下步骤：

提供无机掩膜版，其包括依次设置在基底上的第一无机掩膜版和第二无机掩膜版；

至少采用物理和/或化学加工方式在第二无机掩膜版上加工形成图形，所述的物理加工方式包括电子束、离子束、激光束、中子束、X光、扫描探针直写中的任意一种方式；或者，所述的物理加工方式包括光刻工艺；或者，所述的物理加工方式包括使第二无机掩膜版的选定区域的材料发生相变的方式；或者，所述的方法包括：通过化学反应在第二无机掩膜版上加工形成所述的图形；

至少以选择性气相刻蚀工艺将所述图形转移至第一无机掩膜版中，所述选择性气相刻蚀工艺中使用的刻蚀气体不能刻蚀第二无机掩膜版；

至少在所述第一无机掩膜版的图形区域生长目标材料；

除去所述的无机掩膜版。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：

提供无机掩膜版，其包括依次设置在基底上的第一无机掩膜版、第三无机掩膜版和第二无机掩膜版，

至少采用物理和/或化学加工方式在第二无机掩膜版、第三无机掩膜版上加工形成所述的图形。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述第二无机掩膜版的材质为固态无机物，所述固态无机物包括Si、Ge、SiGe、SiO_x、SiN_x、SiC、Mo、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、Au、Pt、Cu、Al、AlO_x、Ni、Cr、Ga、Zn、ZnO、Mg、MgO、Nb、NbTi、NbN中的任意一种。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第三无机掩膜版的材质为固态无机物，所述固态无机物包括Si、Ge、SiGe、SiO_x、SiN_x、SiC、Mo、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、Au、Pt、Cu、Al、AlO_x、Ni、Cr、Ga、Zn、ZnO、Mg、MgO、Nb、NbTi、NbN中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：

提供无机掩膜版，其包括依次设置在基底上的第一无机掩膜版、第三无机掩膜版和第二无机掩膜版，

在第二无机掩膜版上加工形成图形，

至少以选择性气相刻蚀工艺将所述图形转移至第三掩模版、第一无机掩膜版中，其中用于刻蚀所述第三无机掩膜版的刻蚀气体与用于刻蚀所述第一无机掩膜版的刻蚀气体相同或不同，

至少在所述第三掩模版、第一无机掩膜版的图形区域生长目标材料，

除去所述的无机掩膜版。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述刻蚀气体为无机气体，所述无机气体包括Ar、He、H₂、N₂、NH₃、O₂、O₃、H₂O、HF、XeF₂、HCl、CO₂中的任意一种或两种以上的组合。

7.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于：所述第一无机掩膜版的材质为固态无机物，所述固态无机物包括Si、Ge、SiGe、SiO_x、SiN_x、SiC、Mo、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、Au、Pt、Cu、Al、AlO_x、Ni、Cr、Ga、Zn、ZnO、Mg、MgO、Nb、NbTi、NbN中的任意一种。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述第三无机掩膜版的材质为固态无机物，所述固态无机物包括Si、Ge、SiGe、SiO_x、SiN_x、SiC、Mo、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、Au、Pt、Cu、Al、AlO_x、Ni、Cr、Ga、Zn、ZnO、Mg、MgO、Nb、NbTi、NbN中的任意一种。