[发明专利]真空处理装置的运转方法

说明书

本发明提供一种真空处理装置，其在被处理物大口径化的情况下也能够使处理的均匀性良好，并且高效地进行稳态/非稳态维护。在具有真空搬运室的真空处理装置中，具备：具有圆筒形状的下部容器(250)；试料台单元，其具有试料台(241)以及具备相对于试料台的中心轴线配置为轴对称的支承梁的环状的试料台基座(242)；具有圆筒形状的上部容器(230)；以及移动机构(210)，其固定于试料台基座(242)，且使试料台单元能够在上下方向以及水平方向上移动。

本申请是申请号为201410408799.8、申请日为2014年8月19日、发明名称为“真空处理装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种具备被减压的处理室的真空处理装置的运转方法。

背景技术

在进行半导体晶圆等被处理物的处理的真空处理装置中，例如在对真空处理室内部进行了减压的状态下向其内部导入处理用气体，对被导入的处理用气体进行等离子体化，利用与自由基的化学反应、电子的溅射，进行在具备静电吸盘的试料台上保持的半导体晶圆等被处理物的处理。

关于真空处理装置，例如在专利文献1中公开。另外，关于在真空处理腔室内使用的静电吸盘，例如在专利文献2中公开。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-252201号公报

专利文献2：日本特表2005-516379号公报

发明概要

发明要解决的课题

在真空处理装置中使用了处理用气体，在对处理用气体进行等离子体化而处理被处理物(晶圆)时反应生成物附着于真空处理室内部。当在配置于处理室内部的部件的表面附着反应生成物时，产生如下问题，即，由于该部件的劣化，反应生成物成为微小粒子而从表面剥离并落下，作为异物而附着在晶圆等进行污染。为了抑制该情况，需要对处理室内部的部件进行定期更换或清扫，去除成为异物的原因的反应生成物等，进行使各部件的表面再生的处理(维护)。维护的期间将处理室内部向大气压的环境开放，无法进行处理，停止了装置的运转，因此处理的效率降低。

并且，近年来，作为被处理物的半导体晶圆的大口径化不断发展。因此，真空处理装置也大型化，构成该装置的各个部件也大型化，并且其重量也处于增加趋势，预料到部件的拆卸或移动、安装等变得不容易且维护所需要的时间增长，担心维护效率的进一步降低。

因此，发明人等研究通过现有的技术能否应对上述课题。

在专利文献1中公开了一种真空处理装置，其具备上部内筒腔室、试料台以及配置在排气部侧的下部内筒腔室，该上部内筒腔室在外侧腔室的内部构成进行被处理物的处理的处理室。在本真空处理装置中，在进行维护时，将配置在上部内筒腔室的上部的、构成用于生成等离子体的放电室的放电室基板以将配置在搬运室侧的铰接部作为支点进行旋转的方式向上方抬起，确保上部内侧腔室的作业空间，从而将上部内侧腔室向上方抬起而从外侧腔室取出。另外，记载有如下技术：供环状的支承基座构件(试料台组件)固定的试料台基板以将配置在搬运室侧的铰接部作为支点进行旋转的方式向上方抬起，确保下部内侧腔室的作业空间，从而将下部内侧腔室向上方抬起而从外侧腔室取出，该支承基座构件具备将试料台的铅垂方向的中心作为轴而绕轴配置并固定的支承梁。需要说明的是，通过将支承梁以试料台的铅垂方向的中心为轴呈轴对称配置(即，相对于试料台的中心轴的气体流路形状为大致同轴轴对称)，从而将上部内筒腔室内的试料台上的空间的气体等(处理气体、等离子体中的粒子或反应生成物)通过该支承梁彼此之间的空间而经由下部内筒腔室而被排出。由此，被处理物周向上的气体的流动变得均匀，从而能够实现对被处理物的均匀处理。