[发明专利]开关控制电路及电视机有效

专利信息
申请号: 201711439411.0 申请日: 2017-12-25
公开(公告)号: CN107948555B 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 陈成辉;温锡奎;刘志成 申请(专利权)人: TCL通力电子(惠州)有限公司
主分类号: H04N5/63 分类号: H04N5/63;H04N21/443
代理公司: 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 代理人: 宋朝政
地址: 516006 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 开关 控制电路 电视机
【说明书】:

发明公开了一种开关控制电路及电视机,该开关控制电路包括电源输入端、电源输出端、开关信号输入端、开关电路单元、延时电路单元、三极管控制电路单元及电源控制电路单元;延时电路单元对开关信号输入端输入的开关信号进行延时处理,并将延时处理后的开关信号分别输出至开关电路单元和三极管控制电路单元;开关电路单元根据延时处理后的开关信号控制电源输入端的电源输出至电源输出端,以控制供电对象的供电状态;三极管控制电路单元根据延时处理后的开关信号输出相应的反馈控制信号至电源控制电路单元;电源控制电路单元根据反馈控制信号输出相应的电源电压至电源输入端。本发明能够降低电路的成本,同时还能够提高电路的可靠性。

技术领域

本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种开关控制电路及电视机。

背景技术

在传统的电源管理系统中,为了在待机等情况下将部分电路模块关闭,以降低不必要的损耗,通常都会使用一开关控制电路来控制电源的供电。图1为现有技术中开关控制电路一实施例的结构示意图,参照图1,该开关控制电路包括电源输入端101、电源输出端102、开关信号输入端103及开关电路单元104。其中,所述开关电路单元104包括NPN三极管Q11、第一电阻R11、第二电阻R12、第一电容C11、第二电容C12、PMOS管Q12及电解电容CE1。具体地,所述NPN三极管Q11的基极与所述开关信号输入端103连接,所述NPN三极管Q11的发射极接地,所述NPN三极管Q11的集电极经所述第一电阻R11分别与所述第二电阻R12的第一端、所述第一电容C11的第一端、所述PMOS管的栅极及所述第二电容C12的第一端连接,所述第二电阻R12的第二端、所述第一电容C11的第二端及所述PMOS管的源极均与所述电源输入端101连接,所述PMOS管的漏极及所述第二电容C12的第二端均与所述电源输出端102连接,所述电解电容CE11的正极与所述电源输出端102连接,所述电解电容CE11的负极接地。

图1所示开关控制电路的工作原理为:当需要对某个电路模块进行供电时,将此电路模块的供电端接至所述电源输出端102,将供电电压源或者电流源接至所述电源输入端101。当所述开关信号输入端103的开关信号为高电平时,所述NPN三极管Q11导通,此时所述电源输入端101输入的电源经所述第一电阻R11和所述第二电阻R12组成的分压电路对所述第一电容C11进行充电,所述第一电容C11上的电压使所述PMOS管Q12的栅极与源极之间的电压Vgs大于其导通电压阈值Vth,使得所述PMOS管Q12导通,从而使得所述电源输入端101输入的电源通过所述PMOS管Q12输出至所述电源输出端102,对相应的电路模块进行供电,使该电路模块上电工作;当待机时需要控制某个电路模块断电时,则控制所述开关信号输入端103的开关信号为低电平,使得所述NPN三极管Q11关断,从而使得所述第一电阻R11的电流为0,则所述第一电容C11对所述第二电阻R12放电,直到所述PMOS管Q12的栅极与源极之间的电压Vgs小于其导通电压阈值Vth,使得所述PMOS管Q12关断,从而切断所述电源输出端102对该电路模块的供电。

上述开关控制电路的结构简单,能满足大部分场合中电路模块的供电控制要求,但是该开关控制电路在所述PMOS管Q12的导通过程中,所述PMOS管Q12的漏极和源极之间的电压差Vds从所述电源输入端101的电源电压Vin降低到0V,所述PMOS管Q12处于线性导通的过程,而这段时间内流过所述PMOS管Q12的所有电流需将所述电解电容CE11的电压充满,根据P=U*I,使得所述PMOS管Q12的瞬时损耗较大,其瞬时损耗为当所述电源输入端101输入的电压Uin增加到2倍时,则所述PMOS管Q12导通时的瞬时损耗相当于增加到4倍,从而容易造成所述PMOS管Q12的损坏,使得该开关控制电路的可靠性不高;同理,所述PMOS管Q12在关断时由于负载电流的存在,所述PMOS管Q12在关断过程中由于其漏极和源极之间的电压差Vds逐渐变大,也将导致一定的瞬时损耗。因此,图1所示开关控制电路中的PMOS管Q12需要选用大功率的PMOS管以确保其导通和关闭时的瞬时损耗不会造成所述PMOS管Q12的损坏,而大功率的PMOS管的成本较高。

发明内容

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